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IAUC64N08S5L075ATMA1

IAUC64N08S5L075ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IAUC64N08S5L075-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd40f74020b
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2106 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details IAUC64N08S5L075ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUC64N08S5L075ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 6300 µohm, TDSON-8-33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 75W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON-8-33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm.

Weitere Produktangebote IAUC64N08S5L075ATMA1 nach Preis ab 0.95 EUR bis 4.84 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IAUC64N08S5L075ATMA1 IAUC64N08S5L075ATMA1 Infineon Technologies infineon_iauc64n08s5l075_datasheet_en.pdf MOSFETs 80 V, N-Ch, 7.5 m max, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS 5
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IAUC64N08S5L075ATMA1 IAUC64N08S5L075ATMA1 INFINEON 3999376.pdf Description: INFINEON - IAUC64N08S5L075ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 6300 µohm, TDSON-8-33, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON-8-33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
auf Bestellung 2310 Stücke:
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108+2.17 EUR
121+1.77 EUR
500+1.4 EUR
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IAUC64N08S5L075ATMA1 IAUC64N08S5L075ATMA1 INFINEON 3999376.pdf Description: INFINEON - IAUC64N08S5L075ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 6300 µohm, TDSON-8-33, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON-8-33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC64N08S5L075ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 6300 µohm, TDSON-8-33, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 75W
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
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Description: INFINEON - IAUC64N08S5L075ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 6300 µohm, TDSON-8-33, Oberflächenmontage
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