IAUC64N08S5L075ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2106 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2106 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 7+ | 2.76 EUR |
| 11+ | 1.76 EUR |
| 100+ | 1.18 EUR |
| 500+ | 0.93 EUR |
| 1000+ | 0.86 EUR |
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Technische Details IAUC64N08S5L075ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUC64N08S5L075ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 6300 µohm, TDSON-8-33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TDSON-8-33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IAUC64N08S5L075ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUC64N08S5L075ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 6300 µohm, TDSON-8-33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TDSON-8-33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 4345 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IAUC64N08S5L075ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUC64N08S5L075ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 6300 µohm, TDSON-8-33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TDSON-8-33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 4345 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IAUC64N08S5L075ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2106 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IAUC64N08S5L075ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(75V 120V( |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IAUC64N08S5L075ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 13A; Idm: 256A; 75W; PG-TDSON-8 Case: PG-TDSON-8 Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 37nC On-state resistance: 11.1mΩ Power dissipation: 75W Drain current: 13A Pulsed drain current: 256A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V |
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