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IAUC80N04S6L032ATMA1

IAUC80N04S6L032ATMA1 Infineon Technologies

infineon-iauc80n04s6l032-datasheet-cn.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IAUC80N04S6L032ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.29mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 18µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details IAUC80N04S6L032ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUC80N04S6L032ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 2620 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 50W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 50W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00262ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2620µohm.

Weitere Produktangebote IAUC80N04S6L032ATMA1 nach Preis ab 0.69 EUR bis 3.75 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IAUC80N04S6L032ATMA1 IAUC80N04S6L032ATMA1 Infineon Technologies infineon_iauc80n04s6l032_datasheet_en.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 8718 Stücke:
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IAUC80N04S6L032ATMA1 IAUC80N04S6L032ATMA1 INFINEON infineon-iauc80n04s6l032-datasheet-cn.pdf Description: INFINEON - IAUC80N04S6L032ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 2620 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2620µohm
auf Bestellung 659 Stücke:
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142+1.64 EUR
160+1.34 EUR
500+1.05 EUR
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IAUC80N04S6L032ATMA1 IAUC80N04S6L032ATMA1 INFINEON infineon-iauc80n04s6l032-datasheet-cn.pdf Description: INFINEON - IAUC80N04S6L032ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 2620 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Dauer-Drainstrom Id: 80A
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 50W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00262ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2620µohm
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC80N04S6L032ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 2620 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2620µohm
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IAUC80N04S6L032ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC80N04S6L032ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 2620 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 50W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00262ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2620µohm
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