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IAUCN04S7N012ATMA1

IAUCN04S7N012ATMA1 Infineon Technologies


Infineon_IAUCN04S7N012_DataSheet_v01_00_EN-3392540.pdf Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
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Technische Details IAUCN04S7N012ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUCN04S7N012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 105W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IAUCN04S7N012ATMA1 IAUCN04S7N012ATMA1 Hersteller : INFINEON 4146083.pdf Description: INFINEON - IAUCN04S7N012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IAUCN04S7N012ATMA1 IAUCN04S7N012ATMA1 Hersteller : INFINEON 4146083.pdf Description: INFINEON - IAUCN04S7N012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IAUCN04S7N012ATMA1 IAUCN04S7N012ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-iaucn04s7n012-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 214A T/R
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