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IAUCN04S7N020ATMA1

IAUCN04S7N020ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IAUCN04S7N020-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d1b852e018d21fc5b071f5a
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details IAUCN04S7N020ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUCN04S7N020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2050 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IAUCN04S7N020ATMA1 IAUCN04S7N020ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IAUCN04S7N020_DataSheet_v01_00_EN-3392522.pdf MOSFETs N
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10+1.96 EUR
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IAUCN04S7N020ATMA1 IAUCN04S7N020ATMA1 INFINEON 4146085.pdf Description: INFINEON - IAUCN04S7N020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2050 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 851 Stücke:
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124+1.74 EUR
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5135 Stücke:
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IAUCN04S7N020ATMA1 IAUCN04S7N020ATMA1 INFINEON 4146085.pdf Description: INFINEON - IAUCN04S7N020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2050 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Dauer-Drainstrom Id: 120A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N
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Description: INFINEON - IAUCN04S7N020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2050 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IAUCN04S7N020ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
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Description: INFINEON - IAUCN04S7N020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2050 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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AnzahlPrivatkunde
52+4.9 EUR
82+2.86 EUR
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Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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