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Technische Details IAUCN04S7N020ATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET_(20V 40V), Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote IAUCN04S7N020ATMA1 nach Preis ab 1.17 EUR bis 2.02 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IAUCN04S7N020ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET_(20V 40V)Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
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| IAUCN04S7N020ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IAUCN04S7N020ATMA1 |
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Automotive MOSFET |
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IAUCN04S7N020ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET_(20V 40V) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
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