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IAUCN04S7N024DATMA1

IAUCN04S7N024DATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IAUCN04S7N024D-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca501927583bfe71044
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(20V 40V)
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-60
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.49mOhm @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2067pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 72W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Qualification: AEC-Q101
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details IAUCN04S7N024DATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUCN04S7N024DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 2490 µohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2490µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 72W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Weitere Produktangebote IAUCN04S7N024DATMA1 nach Preis ab 1.42 EUR bis 6.07 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IAUCN04S7N024DATMA1 IAUCN04S7N024DATMA1 INFINEON 4470068.pdf Description: INFINEON - IAUCN04S7N024DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 2490 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2490µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 72W
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.3 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.68 EUR
5000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUCN04S7N024DATMA1 IAUCN04S7N024DATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUCN04S7N024D-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca501927583bfe71044 Description: MOSFET_(20V 40V)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-60
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.49mOhm @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2067pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 72W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6224 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.61 EUR
10+2.96 EUR
50+2.25 EUR
100+2.02 EUR
500+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IAUCN04S7N024DATMA1 IAUCN04S7N024DATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUCN04S7N024D-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca501927583bfe71044 MOSFETs OptiMOS7 40 V Dual SSO8 Automotive MOSFETs
auf Bestellung 1850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.63 EUR
10+2.26 EUR
100+2.03 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.58 EUR
2500+1.54 EUR
5000+1.42 EUR
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IAUCN04S7N024DATMA1 IAUCN04S7N024DATMA1 INFINEON 4470068.pdf Description: INFINEON - IAUCN04S7N024DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 2490 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2490µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 72W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+6.07 EUR
64+3.64 EUR
100+2.3 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.68 EUR
5000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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IAUCN04S7N024DATMA1 4470068.pdf
IAUCN04S7N024DATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N024DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 2490 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2490µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 72W
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.3 EUR
500+1.83 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IAUCN04S7N024DATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(20V 40V)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-60
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.49mOhm @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2067pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 72W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6224 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.61 EUR
10+2.96 EUR
50+2.25 EUR
100+2.02 EUR
500+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IAUCN04S7N024DATMA1 Infineon-IAUCN04S7N024D-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca501927583bfe71044
IAUCN04S7N024DATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS7 40 V Dual SSO8 Automotive MOSFETs
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AnzahlPrivatkunde
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10+2.26 EUR
100+2.03 EUR
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2500+1.54 EUR
5000+1.42 EUR
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IAUCN04S7N024DATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N024DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 2490 µohm
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Qualifikation: AEC-Q101
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2490µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 72W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 10000 Stücke:
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42+6.07 EUR
64+3.64 EUR
100+2.3 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.68 EUR
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