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IAUCN04S7N024DATMA1

IAUCN04S7N024DATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IAUCN04S7N024D-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca501927583bfe71044
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(20V 40V)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-60
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.49mOhm @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2067pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 72W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1880 Stücke:
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Technische Details IAUCN04S7N024DATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V), Grade: Automotive, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-60, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 25µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.49mOhm @ 30A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2067pF @ 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Power - Max: 72W (Tc), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Qualification: AEC-Q101, Packaging: Tape & Reel (TR).

Weitere Produktangebote IAUCN04S7N024DATMA1 nach Preis ab 0.94 EUR bis 3.47 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IAUCN04S7N024DATMA1 IAUCN04S7N024DATMA1 Infineon Technologies Infineon_IAUCN04S7N024D_DataSheet_v01_00_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 540 Stücke:
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10+2.22 EUR
100+1.54 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.11 EUR
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