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IAUCN04S7N024HATMA1

IAUCN04S7N024HATMA1 INFINEON

INFN-S-A0027159942-1.pdf?hkey=8FF9937AB4D386CC6D0AAF3EE0D3F825
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N024HATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00246 ohm
tariffCode: 85412900
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rohsCompliant: YES
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usEccn: EAR99
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Technische Details IAUCN04S7N024HATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IAUCN04S7N024HATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00246 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00246ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 75W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IAUCN04S7N024HATMA1 IAUCN04S7N024HATMA1 Infineon Technologies infineon-iaucn04s7n024h-datasheet-en.pdf Description: MOSFET_(20V 40V)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.46mOhm @ 50A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2226pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 75W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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10+3.21 EUR
50+2.44 EUR
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IAUCN04S7N024HATMA1 IAUCN04S7N024HATMA1 INFINEON INFN-S-A0027159942-1.pdf?hkey=8FF9937AB4D386CC6D0AAF3EE0D3F825 Description: INFINEON - IAUCN04S7N024HATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00246 ohm
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00246ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 75W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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5000+1.39 EUR
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IAUCN04S7N024HATMA1 infineon-iaucn04s7n024h-datasheet-en.pdf
IAUCN04S7N024HATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(20V 40V)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.46mOhm @ 50A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2226pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 75W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel
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Package / Case: 8-PowerVDFN
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IAUCN04S7N024HATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N024HATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00246 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
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Qualifikation: AEC-Q101
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00246ohm
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Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 75W
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