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IAUCN04S7N040DATMA1

IAUCN04S7N040DATMA1 INFINEON

4395758.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N040DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4040 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4040µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Verlustleistung, n-Kanal: 51W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.3 EUR
105+2.05 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.49 EUR
5000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Technische Details IAUCN04S7N040DATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IAUCN04S7N040DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4040 µohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4040µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 51W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IAUCN04S7N040DATMA1 IAUCN04S7N040DATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUCN04S7N040D-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801918ebce4cb55ff Description: MOSFET_(20V 40V)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-61
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 15µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.04mOhm @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1177pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 51W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4 EUR
10+2.53 EUR
50+1.92 EUR
100+1.71 EUR
500+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IAUCN04S7N040DATMA1 IAUCN04S7N040DATMA1 INFINEON 4395758.pdf Description: INFINEON - IAUCN04S7N040DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4040 µohm
tariffCode: 85412900
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4040µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 51W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.55 EUR
71+3.3 EUR
105+2.05 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.49 EUR
5000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUCN04S7N040DATMA1 Infineon-IAUCN04S7N040D-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801918ebce4cb55ff
IAUCN04S7N040DATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(20V 40V)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-61
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 15µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.04mOhm @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1177pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 51W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+4 EUR
10+2.53 EUR
50+1.92 EUR
100+1.71 EUR
500+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUCN04S7N040DATMA1 4395758.pdf
IAUCN04S7N040DATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N040DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4040 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4040µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 51W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
46+5.55 EUR
71+3.3 EUR
105+2.05 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.49 EUR
5000+1.33 EUR
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