IAUCN08S7N019ATMA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.9 EUR |
| 10+ | 3.86 EUR |
| 100+ | 2.93 EUR |
| 500+ | 2.48 EUR |
| 1000+ | 2.23 EUR |
| 5000+ | 1.95 EUR |
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Technische Details IAUCN08S7N019ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUCN08S7N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 1900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 175A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, Verlustleistung: 169W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm.
Weitere Produktangebote IAUCN08S7N019ATMA1 nach Preis ab 3.26 EUR bis 10.17 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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| IAUCN08S7N019ATMA1 | INFINEON |
 Description: INFINEON - IAUCN08S7N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 1900 µohm, TDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 175A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V Verlustleistung: 169W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm |
auf Bestellung 1731 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IAUCN08S7N019ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUCN08S7N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 1900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 175A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V Verlustleistung: 169W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm |
auf Bestellung 1731 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IAUCN08S7N019ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN08S7N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 1900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
Description: INFINEON - IAUCN08S7N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 1900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 4.12 EUR |
| 500+ | 3.45 EUR |
| 1000+ | 3.26 EUR |
| IAUCN08S7N019ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN08S7N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 1900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
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Description: INFINEON - IAUCN08S7N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 1900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 1731 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 25+ | 10.17 EUR |
| 38+ | 6.18 EUR |
| 100+ | 4.12 EUR |
| 500+ | 3.45 EUR |
| 1000+ | 3.26 EUR |