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IAUCN08S7N024ATMA1

IAUCN08S7N024ATMA1 Infineon Technologies

IAUCN08S7N024-Data-Sheet-10-Infineon.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(75V 120V(
Qualification: AEC-Q101
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
5000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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Technische Details IAUCN08S7N024ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(, Qualification: AEC-Q101, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IAUCN08S7N024ATMA1 IAUCN08S7N024ATMA1 Infineon Technologies IAUCN08S7N024-Data-Sheet-10-Infineon.pdf Description: MOSFET_(75V 120V(
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
auf Bestellung 5384 Stücke:
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5+4.35 EUR
10+2.82 EUR
100+2.02 EUR
500+1.63 EUR
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IAUCN08S7N024ATMA1 IAUCN08S7N024ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IAUCN08S7N024_DataSheet_v01_00_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
auf Bestellung 2615 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.44 EUR
10+2.87 EUR
100+2.04 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.59 EUR
5000+1.35 EUR
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Description: MOSFET_(75V 120V(
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
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500+1.63 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
auf Bestellung 2615 Stücke:
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1+4.44 EUR
10+2.87 EUR
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