IAUCN08S7N024TATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-LSOP (0.216", 5.48mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.44mOhm @ 83A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 74.7µA
Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4849 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
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| Anzahl | Preis |
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| 2000+ | 1.71 EUR |
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Technische Details IAUCN08S7N024TATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUCN08S7N024TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 165 A, 2440 µohm, LHSOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 165A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 157W, Bauform - Transistor: LHSOIC, Anzahl der Pins: 10Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2440µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IAUCN08S7N024TATMA1 nach Preis ab 1.92 EUR bis 5.53 EUR
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Preis | ||||||||||||||
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IAUCN08S7N024TATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET_(75V 120V( Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-LSOP (0.216", 5.48mm Width) Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.44mOhm @ 83A, 10V Power Dissipation (Max): 157W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 74.7µA Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4849 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 |
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IAUCN08S7N024TATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 80 V, N-Ch, 2.44 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T |
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IAUCN08S7N024TATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUCN08S7N024TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 165 A, 2440 µohm, LHSOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 165A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 157W Bauform - Transistor: LHSOIC Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2440µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IAUCN08S7N024TATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUCN08S7N024TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 165 A, 2440 µohm, LHSOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2440µohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 3980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |