IAUMN04S7N011GAUMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 150 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.24 EUR |
| 10+ | 4.05 EUR |
| 100+ | 2.78 EUR |
| 500+ | 2.34 EUR |
| 2000+ | 2.01 EUR |
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Technische Details IAUMN04S7N011GAUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUMN04S7N011GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 1140 µohm, HSOG, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 124W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: HSOG, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1140µohm.
Weitere Produktangebote IAUMN04S7N011GAUMA1 nach Preis ab 2.4 EUR bis 7.68 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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| IAUMN04S7N011GAUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUMN04S7N011GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 1140 µohm, HSOG, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 124W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: HSOG Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1140µohm |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IAUMN04S7N011GAUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUMN04S7N011GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 1140 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 124W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1140µohm
Description: INFINEON - IAUMN04S7N011GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 1140 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 124W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1140µohm
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 33+ | 7.68 EUR |
| 51+ | 4.62 EUR |
| 100+ | 2.94 EUR |
| 500+ | 2.44 EUR |
| 1000+ | 2.4 EUR |