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IAUS200N08S5N023ATMA1

IAUS200N08S5N023ATMA1 Infineon Technologies

infineon-iaus200n08s5n023-datasheet-v01_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details IAUS200N08S5N023ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUS200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 0.0018 ohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 200W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: PG-HSOG, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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IAUS200N08S5N023ATMA1 IAUS200N08S5N023ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-iaus200n08s5n023-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
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IAUS200N08S5N023ATMA1 IAUS200N08S5N023ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-iaus200n08s5n023-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
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IAUS200N08S5N023ATMA1 IAUS200N08S5N023ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies IAUS200N08S5N023.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 200A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
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4+5.16 EUR
10+4.09 EUR
100+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IAUS200N08S5N023ATMA1 IAUS200N08S5N023ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IAUS200N08S5N023_DataSheet_v01_01_EN-3361606.pdf MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
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1+5.47 EUR
10+4.35 EUR
25+4.03 EUR
100+3.15 EUR
250+3.10 EUR
500+2.85 EUR
1000+2.83 EUR
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IAUS200N08S5N023ATMA1 IAUS200N08S5N023ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-iaus200n08s5n023-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
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25+6.01 EUR
34+4.31 EUR
50+3.29 EUR
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Mindestbestellmenge: 25
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IAUS200N08S5N023ATMA1 IAUS200N08S5N023ATMA1 Hersteller : INFINEON 2883919.pdf Description: INFINEON - IAUS200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 0.0018 ohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: PG-HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IAUS200N08S5N023ATMA1 IAUS200N08S5N023ATMA1 Hersteller : INFINEON 2883919.pdf Description: INFINEON - IAUS200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 0.0018 ohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: PG-HSOG
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IAUS200N08S5N023ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-iaus200n08s5n023-datasheet-v01_01-en.pdf OptiMOS Power-Transistor
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IAUS200N08S5N023ATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IAUS200N08S5N023.pdf IAUS200N08S5N023 SMD N channel transistors
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IAUS200N08S5N023ATMA1 IAUS200N08S5N023ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies IAUS200N08S5N023.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 200A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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