IAUS300N08S5N011ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 410A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details IAUS300N08S5N011ATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOG-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA, Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote IAUS300N08S5N011ATMA1 nach Preis ab 4.26 EUR bis 5.06 EUR
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IAUS300N08S5N011ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 410A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101 |
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IAUS300N08S5N011 SMD N channel transistors |
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IAUS300N08S5N011ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOG-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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MOSFETs MOSFET_(75V 120V( |
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