IAUS300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13178 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details IAUS300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUS300N08S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0011 ohm, HSOG, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 300W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: HSOG, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IAUS300N08S5N014ATMA1 nach Preis ab 4.88 EUR bis 4.88 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||
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IAUS300N08S5N014ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUS300N08S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0011 ohm, HSOG, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: HSOG Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3570 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IAUS300N08S5N014ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13178 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IAUS300N08S5N014ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUS300N08S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0011 ohm, HSOG, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: HSOG Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3570 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IAUS300N08S5N014ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Automotive AEC-Q101 Power Mosfet |
auf Bestellung 3600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IAUS300N08S5N014ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Automotive AEC-Q101 Power Mosfet |
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| IAUS300N08S5N014ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Automotive AEC-Q101 Power Mosfet |
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| IAUS300N08S5N014ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP001792358 |
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| IAUS300N08S5N014ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 230A; Idm: 1.2kA; 300W Mounting: SMD Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: PG-HSOG-8 On-state resistance: 1.4mΩ Pulsed drain current: 1.2kA Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 5 Drain current: 230A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 80V Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1800 Stücke |
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IAUS300N08S5N014ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFET_(75V 120V( |
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| IAUS300N08S5N014ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 230A; Idm: 1.2kA; 300W Mounting: SMD Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: PG-HSOG-8 On-state resistance: 1.4mΩ Pulsed drain current: 1.2kA Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 5 Drain current: 230A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 80V Type of transistor: N-MOSFET |
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