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IAUS300N10S5N014ATMA1

IAUS300N10S5N014ATMA1 Infineon Technologies

infineoniaus300n10s5n014datasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 360A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R
auf Bestellung 3600 Stücke:
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Technische Details IAUS300N10S5N014ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUS300N10S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1400 µohm, HSOG, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HSOG, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IAUS300N10S5N014ATMA1 nach Preis ab 6.15 EUR bis 16.37 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IAUS300N10S5N014ATMA1 IAUS300N10S5N014ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUS300N10S5N014-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c32017795c159b7467d Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOG-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 959 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.35 EUR
10+8.33 EUR
100+6.15 EUR
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IAUS300N10S5N014ATMA1 IAUS300N10S5N014ATMA1 INFINEON 4425938.pdf Description: INFINEON - IAUS300N10S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1400 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.37 EUR
23+10.26 EUR
100+7.01 EUR
500+6.91 EUR
1000+6.81 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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IAUS300N10S5N014ATMA1 IAUS300N10S5N014ATMA1 INFINEON 4425938.pdf Description: INFINEON - IAUS300N10S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1400 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.37 EUR
23+10.26 EUR
100+7.01 EUR
500+6.91 EUR
1000+6.81 EUR
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Anzahl je Verpackung: 1800 Stücke
verfügbar 12 Stücke:
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IAUS300N10S5N014ATMA1 Infineon-IAUS300N10S5N014-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c32017795c159b7467d
IAUS300N10S5N014ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOG-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
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Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
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IAUS300N10S5N014ATMA1 4425938.pdf
IAUS300N10S5N014ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUS300N10S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1400 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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100+7.01 EUR
500+6.91 EUR
1000+6.81 EUR
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Description: INFINEON - IAUS300N10S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1400 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
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Verlustleistung: 375W
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+16.37 EUR
23+10.26 EUR
100+7.01 EUR
500+6.91 EUR
1000+6.81 EUR
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IAUS300N10S5N014ATMA1 Infineon-IAUS300N10S5N014-DataSheet-v01_01-EN.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 360 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 16011 @ 50, Qg, нКл = 216, Rds = 1,4 мОм, Ugs(th) = 3,8, Р, Вт = 375, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerSMD-8 Очікується: 160 Од. вим: шт
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verfügbar 12 Stücke:
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