IAUT165N08S5N029ATMA2 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 165A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V
auf Bestellung 1964 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 4+ | 4.91 EUR |
| 10+ | 4.12 EUR |
| 100+ | 3.33 EUR |
| 500+ | 2.96 EUR |
| 1000+ | 2.54 EUR |
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Technische Details IAUT165N08S5N029ATMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUT165N08S5N029ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 165 A, 0.0024 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 165A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 167W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: HSOF, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IAUT165N08S5N029ATMA2 nach Preis ab 2.55 EUR bis 4.95 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IAUT165N08S5N029ATMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFET_(75V,120V( |
auf Bestellung 1932 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IAUT165N08S5N029ATMA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUT165N08S5N029ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 165 A, 0.0024 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 165A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 167W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: HSOF Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 1521 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IAUT165N08S5N029ATMA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUT165N08S5N029ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 165 A, 0.0024 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 167W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 1521 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IAUT165N08S5N029ATMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IAUT165N08S5N029ATMA2 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; 167W; PG-HSOF-8 Case: PG-HSOF-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Technology: OptiMOS™ 5 On-state resistance: 2.9mΩ Power dissipation: 167W Gate charge: 31nC Polarisation: unipolar Drain current: 165A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 80V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IAUT165N08S5N029ATMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 165A 8HSOF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V |
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IAUT165N08S5N029ATMA2 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; 167W; PG-HSOF-8 Case: PG-HSOF-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Technology: OptiMOS™ 5 On-state resistance: 2.9mΩ Power dissipation: 167W Gate charge: 31nC Polarisation: unipolar Drain current: 165A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 80V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V |
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