IAUT240N08S5N019ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 240A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9264 pF @ 40 V
auf Bestellung 1095 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 3+ | 6.16 EUR |
| 10+ | 5.17 EUR |
| 100+ | 4.18 EUR |
| 500+ | 3.72 EUR |
| 1000+ | 3.18 EUR |
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Technische Details IAUT240N08S5N019ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUT240N08S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0019 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 240A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 230W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: HSOF, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IAUT240N08S5N019ATMA1 nach Preis ab 3.2 EUR bis 6.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IAUT240N08S5N019ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFET_(75V,120V( |
auf Bestellung 1995 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IAUT240N08S5N019ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUT240N08S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0019 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 230W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: HSOF Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 1678 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IAUT240N08S5N019ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUT240N08S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0019 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 1678 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IAUT240N08S5N019ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 240A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IAUT240N08S5N019ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 240A; 230W; PG-HSOF-8 Case: PG-HSOF-8 Mounting: SMD On-state resistance: 1.9mΩ Drain current: 240A Gate charge: 42nC Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V Power dissipation: 230W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
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IAUT240N08S5N019ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 240A 8HSOF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 160µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9264 pF @ 40 V |
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IAUT240N08S5N019ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 240A; 230W; PG-HSOF-8 Case: PG-HSOF-8 Mounting: SMD On-state resistance: 1.9mΩ Drain current: 240A Gate charge: 42nC Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V Power dissipation: 230W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET |
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