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IAUT300N08S5N011ATMA1

IAUT300N08S5N011ATMA1 Infineon Technologies

infineon-iaut300n08s5n011-datasheet-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+4.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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Technische Details IAUT300N08S5N011ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUT300N08S5N011ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 410 A, 1100 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 410A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 375W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm.

Weitere Produktangebote IAUT300N08S5N011ATMA1 nach Preis ab 4.36 EUR bis 17.65 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IAUT300N08S5N011ATMA1 IAUT300N08S5N011ATMA1 Infineon Technologies infineoniaut300n08s5n011datasheetv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 410A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 2584 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+5.05 EUR
500+4.7 EUR
1000+4.36 EUR
Mindestbestellmenge: 128 Stücke
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IAUT300N08S5N011ATMA1 IAUT300N08S5N011ATMA1 Infineon Technologies infineoniaut300n08s5n011datasheetv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 410A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 3115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+5.05 EUR
500+4.7 EUR
1000+4.36 EUR
Mindestbestellmenge: 128 Stücke
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IAUT300N08S5N011ATMA1 IAUT300N08S5N011ATMA1 Infineon Technologies infineoniaut300n08s5n011datasheetv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 410A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+5.05 EUR
Mindestbestellmenge: 128 Stücke
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IAUT300N08S5N011ATMA1 IAUT300N08S5N011ATMA1 INFINEON 4098629.pdf Description: INFINEON - IAUT300N08S5N011ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 410 A, 1100 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
auf Bestellung 676 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+7.28 EUR
500+6.49 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IAUT300N08S5N011ATMA1 IAUT300N08S5N011ATMA1 Infineon Technologies infineon-iaut300n08s5n011-datasheet-en.pdf Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 13043 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.67 EUR
10+8.5 EUR
50+6.7 EUR
100+6.13 EUR
500+5.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IAUT300N08S5N011ATMA1 IAUT300N08S5N011ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUT300N08S5N011-DataSheet-v01_02-EN.pdf MOSFETs 80 V, N-Ch, 1.10m max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12), OptiMOS 5
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.98 EUR
10+8.52 EUR
100+6.26 EUR
500+5.59 EUR
1000+5.28 EUR
2000+4.94 EUR
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
auf Bestellung 676 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.65 EUR
22+10.75 EUR
100+7.28 EUR
500+6.49 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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IAUT300N08S5N011ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 410A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 2584 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
128+5.05 EUR
500+4.7 EUR
1000+4.36 EUR
Mindestbestellmenge: 128 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 410A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 3115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
128+5.05 EUR
500+4.7 EUR
1000+4.36 EUR
Mindestbestellmenge: 128 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 410A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
128+5.05 EUR
Mindestbestellmenge: 128 Stücke
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IAUT300N08S5N011ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUT300N08S5N011ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 410 A, 1100 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
auf Bestellung 676 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+7.28 EUR
500+6.49 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IAUT300N08S5N011ATMA1 infineon-iaut300n08s5n011-datasheet-en.pdf
IAUT300N08S5N011ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 13043 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+12.67 EUR
10+8.5 EUR
50+6.7 EUR
100+6.13 EUR
500+5.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 80 V, N-Ch, 1.10m max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12), OptiMOS 5
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+12.98 EUR
10+8.52 EUR
100+6.26 EUR
500+5.59 EUR
1000+5.28 EUR
2000+4.94 EUR
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IAUT300N08S5N011ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUT300N08S5N011ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 410 A, 1100 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
auf Bestellung 676 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+17.65 EUR
22+10.75 EUR
100+7.28 EUR
500+6.49 EUR
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