IAUT300N08S5N011ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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| Anzahl | Preis |
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| 2000+ | 3.55 EUR |
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Technische Details IAUT300N08S5N011ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUT300N08S5N011ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 410 A, 0.0011 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 410A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IAUT300N08S5N011ATMA1 nach Preis ab 3.44 EUR bis 9.08 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IAUT300N08S5N011ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 410A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
auf Bestellung 3115 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IAUT300N08S5N011ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 410A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
auf Bestellung 2584 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IAUT300N08S5N011ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 410A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
auf Bestellung 458 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IAUT300N08S5N011ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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IAUT300N08S5N011ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUT300N08S5N011ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 410 A, 0.0011 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 410A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IAUT300N08S5N011ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUT300N08S5N011ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 410 A, 0.0011 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 410A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 62 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IAUT300N08S5N011ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP005427386 |
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IAUT300N08S5N011ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 410A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
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| IAUT300N08S5N011ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 52A; Idm: 1505A; 375W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 52A Power dissipation: 375W Case: PG-HSOF-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 231nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 1505A Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IAUT300N08S5N011ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(75V 120V( |
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| IAUT300N08S5N011ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 52A; Idm: 1505A; 375W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 52A Power dissipation: 375W Case: PG-HSOF-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 231nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 1505A |
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