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IAUT300N08S5N012ATMA2

IAUT300N08S5N012ATMA2 Infineon Technologies

infineon-iaut300n08s5n012-datasheet-v01_02-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details IAUT300N08S5N012ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUT300N08S5N012ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IAUT300N08S5N012-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fdabe0f90580 Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive
auf Bestellung 3091 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+3.83 EUR
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auf Bestellung 258725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
140+4.68 EUR
500+4.36 EUR
1000+4.02 EUR
10000+3.71 EUR
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IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 Infineon Technologies infineon-iaut300n08s5n012-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 82775 Stücke:
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140+4.68 EUR
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1000+4.02 EUR
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IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 Infineon Technologies infineon-iaut300n08s5n012-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+4.75 EUR
50+4.52 EUR
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IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 Infineon Technologies infineon-iaut300n08s5n012-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+4.75 EUR
50+4.52 EUR
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IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES IAUT300N08S5N012.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; 375W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 300A
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Power dissipation: 375W
Gate charge: 178nC
auf Bestellung 1994 Stücke:
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15+5.97 EUR
17+5.15 EUR
100+4.56 EUR
500+4.08 EUR
1000+3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 INFINEON INFN-S-A0003258088-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IAUT300N08S5N012ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 30632 Stücke:
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100+5.97 EUR
500+5.31 EUR
1000+5.14 EUR
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IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 Infineon Technologies infineon-iaut300n08s5n012-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 290 Stücke:
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28+6.28 EUR
34+4.76 EUR
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250+3.5 EUR
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IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 Infineon Technologies infineon-iaut300n08s5n012-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 290 Stücke:
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28+6.28 EUR
34+4.94 EUR
100+4.01 EUR
250+3.8 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IAUT300N08S5N012-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fdabe0f90580 Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive
auf Bestellung 3091 Stücke:
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2+10.72 EUR
10+7.18 EUR
100+5.15 EUR
500+4.69 EUR
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IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IAUT300N08S5N012_DataSheet_v01_02_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(75V,120V(
auf Bestellung 12999 Stücke:
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1+11.5 EUR
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100+5.7 EUR
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1000+4.69 EUR
2000+4.49 EUR
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IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 INFINEON INFN-S-A0003258088-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IAUT300N08S5N012ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 30632 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.67 EUR
50+8.91 EUR
100+5.97 EUR
500+5.31 EUR
1000+5.14 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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IAUT300N08S5N012ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+3.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IAUT300N08S5N012ATMA2 Infineon-IAUT300N08S5N012-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fdabe0f90580
IAUT300N08S5N012ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive
auf Bestellung 3091 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IAUT300N08S5N012ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 258725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
140+4.68 EUR
500+4.36 EUR
1000+4.02 EUR
10000+3.71 EUR
Mindestbestellmenge: 140 Stücke
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IAUT300N08S5N012ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 82775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
140+4.68 EUR
500+4.36 EUR
1000+4.02 EUR
10000+3.71 EUR
Mindestbestellmenge: 140 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUT300N08S5N012ATMA2 infineon-iaut300n08s5n012-datasheet-v01_02-en.pdf
IAUT300N08S5N012ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
37+4.75 EUR
50+4.52 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
37+4.75 EUR
50+4.52 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IAUT300N08S5N012ATMA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; 375W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 300A
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Power dissipation: 375W
Gate charge: 178nC
auf Bestellung 1994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+5.97 EUR
17+5.15 EUR
100+4.56 EUR
500+4.08 EUR
1000+3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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IAUT300N08S5N012ATMA2 INFN-S-A0003258088-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IAUT300N08S5N012ATMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUT300N08S5N012ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 30632 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+5.97 EUR
500+5.31 EUR
1000+5.14 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IAUT300N08S5N012ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
28+6.28 EUR
34+4.76 EUR
100+3.8 EUR
250+3.5 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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IAUT300N08S5N012ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
28+6.28 EUR
34+4.94 EUR
100+4.01 EUR
250+3.8 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IAUT300N08S5N012ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive
auf Bestellung 3091 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+10.72 EUR
10+7.18 EUR
100+5.15 EUR
500+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IAUT300N08S5N012ATMA2 Infineon_IAUT300N08S5N012_DataSheet_v01_02_EN.pdf
IAUT300N08S5N012ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(75V,120V(
auf Bestellung 12999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+11.5 EUR
10+7.75 EUR
100+5.7 EUR
500+5.13 EUR
1000+4.69 EUR
2000+4.49 EUR
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IAUT300N08S5N012ATMA2 INFN-S-A0003258088-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IAUT300N08S5N012ATMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUT300N08S5N012ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 30632 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
19+13.67 EUR
50+8.91 EUR
100+5.97 EUR
500+5.31 EUR
1000+5.14 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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