IAUT300N08S5N012ATMA2 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2000+ | 3.4 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IAUT300N08S5N012ATMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUT300N08S5N012ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IAUT300N08S5N012ATMA2 nach Preis ab 2.6 EUR bis 8.82 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IAUT300N08S5N012ATMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 4810 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IAUT300N08S5N012ATMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 1290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IAUT300N08S5N012ATMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 1380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IAUT300N08S5N012ATMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 1380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IAUT300N08S5N012ATMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 267681 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IAUT300N08S5N012ATMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 84775 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
IAUT300N08S5N012ATMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(75V,120V( |
auf Bestellung 3158 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IAUT300N08S5N012ATMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V Grade: Automotive |
auf Bestellung 11401 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
IAUT300N08S5N012ATMA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUT300N08S5N012ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 33499 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
IAUT300N08S5N012ATMA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUT300N08S5N012ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 33499 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
IAUT300N08S5N012ATMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |