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IAUT300N10S5N014ATMA1

IAUT300N10S5N014ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IAUT300N10S5N014-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c32017795c1685a4680 Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:

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Technische Details IAUT300N10S5N014ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUT300N10S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IAUT300N10S5N014ATMA1 IAUT300N10S5N014ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IAUT300N10S5N014_DataSheet_v01_01_EN-3361974.pdf MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
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IAUT300N10S5N014ATMA1 IAUT300N10S5N014ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IAUT300N10S5N014-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c32017795c1685a4680 Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 11367 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+9.54 EUR
10+6.4 EUR
100+4.63 EUR
500+4.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IAUT300N10S5N014ATMA1 IAUT300N10S5N014ATMA1 Hersteller : INFINEON Infineon-IAUT300N10S5N014-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c32017795c1685a4680 Description: INFINEON - IAUT300N10S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Qualifikation: AEC-Q101
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Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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auf Bestellung 1938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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