IAUTN06S5N008ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 510A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details IAUTN06S5N008ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUTN06S5N008ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 510 A, 650 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 510A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 358W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IAUTN06S5N008ATMA1 nach Preis ab 3.77 EUR bis 9.77 EUR
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IAUTN06S5N008ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 510A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101 |
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IAUTN06S5N008ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 510A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101 |
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IAUTN06S5N008ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_)40V 60V) |
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IAUTN06S5N008ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUTN06S5N008ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 510 A, 650 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 510A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 358W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IAUTN06S5N008ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUTN06S5N008ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 510 A, 650 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 510A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 358W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1948 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IAUTN06S5N008ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 510A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101 |
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IAUTN06S5N008ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 510A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101 |
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IAUTN06S5N008ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET_)40V 60V) Packaging: Tape & Reel (TR) |
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IAUTN06S5N008ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET_)40V 60V) Packaging: Cut Tape (CT) |
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