IAUTN06S5N008ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.76mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 258W (Tc)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20280 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
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| Anzahl | Preis |
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| 2000+ | 3.73 EUR |
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Technische Details IAUTN06S5N008ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUTN06S5N008ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 510 A, 650 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 510A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 358W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IAUTN06S5N008ATMA1 nach Preis ab 3.68 EUR bis 9.77 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||
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IAUTN06S5N008ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 510A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 22000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IAUTN06S5N008ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 510A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IAUTN06S5N008ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 510A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IAUTN06S5N008ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET_)40V 60V) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.76mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 258W (Tc) Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20280 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 5933 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IAUTN06S5N008ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_)40V 60V) |
auf Bestellung 5255 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IAUTN06S5N008ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUTN06S5N008ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 510 A, 650 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 510A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 358W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1948 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IAUTN06S5N008ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUTN06S5N008ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 510 A, 650 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 510A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 358W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1948 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IAUTN06S5N008ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 510A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101 |
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IAUTN06S5N008ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 510A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101 |
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