IAUTN06S5N008GATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 504A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details IAUTN06S5N008GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUTN06S5N008GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 504 A, 640 µohm, HSOG, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 504A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 358W, Bauform - Transistor: HSOG, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 640µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IAUTN06S5N008GATMA1 nach Preis ab 4.7 EUR bis 14.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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IAUTN06S5N008GATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUTN06S5N008GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 504 A, 640 µohm, HSOG, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 504A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 358W Bauform - Transistor: HSOG Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 640µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1032 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IAUTN06S5N008GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 504A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 25200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IAUTN06S5N008GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 504A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IAUTN06S5N008GATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUTN06S5N008GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 504 A, 640 µohm, HSOG, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 504A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 358W Bauform - Transistor: HSOG Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 640µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1032 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IAUTN06S5N008GATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_)40V 60V) |
auf Bestellung 3395 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IAUTN06S5N008GATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET_)40V 60V) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Power Dissipation (Max): 358W (Tc) Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20280 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 1794 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IAUTN06S5N008GATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUTN06S5N008GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 504 A, 640 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 504A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 640µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IAUTN06S5N008GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 504 A, 640 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 504A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 640µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1032 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 6.47 EUR |
| 500+ | 6.37 EUR |
| 1000+ | 5.87 EUR |
| IAUTN06S5N008GATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 504A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 504A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 25200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1800+ | 6.93 EUR |
| IAUTN06S5N008GATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 504A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 504A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 19+ | 9.66 EUR |
| 21+ | 8.21 EUR |
| 25+ | 7.69 EUR |
| 100+ | 6.45 EUR |
| 250+ | 6.05 EUR |
| 500+ | 5.4 EUR |
| 1000+ | 4.7 EUR |
| IAUTN06S5N008GATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUTN06S5N008GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 504 A, 640 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 504A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 640µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IAUTN06S5N008GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 504 A, 640 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 504A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 640µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1032 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 23+ | 10.95 EUR |
| 30+ | 7.82 EUR |
| 100+ | 6.47 EUR |
| 500+ | 6.37 EUR |
| 1000+ | 5.87 EUR |
| IAUTN06S5N008GATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
auf Bestellung 3395 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 13.3 EUR |
| 10+ | 8.88 EUR |
| 100+ | 7.14 EUR |
| 500+ | 6.34 EUR |
| 1000+ | 5.63 EUR |
| IAUTN06S5N008GATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 358W (Tc)
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20280 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 358W (Tc)
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20280 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1794 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 14.2 EUR |
| 10+ | 9.58 EUR |
| 50+ | 7.59 EUR |
| 100+ | 6.95 EUR |
| 500+ | 6.58 EUR |