IAUTN06S5N008TATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details IAUTN06S5N008TATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUTN06S5N008TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 503 A, 630 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 503A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 358W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 630µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IAUTN06S5N008TATMA1 nach Preis ab 5.09 EUR bis 11.11 EUR
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IAUTN06S5N008TATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET_)40V 60V)Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Ta), 350A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 358W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 275µA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20280 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
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IAUTN06S5N008TATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_)40V 60V) |
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IAUTN06S5N008TATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUTN06S5N008TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 503 A, 630 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 503A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 358W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 630µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IAUTN06S5N008TATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUTN06S5N008TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 503 A, 630 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 503A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 358W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 630µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IAUTN06S5N008TATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 503A Automotive 16-Pin HDSOP EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IAUTN06S5N008TATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 503A Automotive 16-Pin HDSOP EP T/R |
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IAUTN06S5N008TATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 503A Automotive 16-Pin HDSOP EP T/R |
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IAUTN06S5N008TATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET_)40V 60V) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Ta), 350A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 358W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 275µA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20280 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
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