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IAUTN12S5N018GATMA1

IAUTN12S5N018GATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IAUTN12S5N018G-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c86919021018712f65ab14212
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details IAUTN12S5N018GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUTN12S5N018GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 310 A, 1500 µohm, HSOG, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 310A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, Verlustleistung: 358W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOG, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IAUTN12S5N018GATMA1 IAUTN12S5N018GATMA1 Infineon Technologies infineon_iautn12s5n018g_datasheet_en.pdf MOSFETs MOSFET_(120V 300V)
auf Bestellung 1422 Stücke:
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IAUTN12S5N018GATMA1 IAUTN12S5N018GATMA1 INFINEON Infineon-IAUTN12S5N018G-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c86919021018712f65ab14212 Description: INFINEON - IAUTN12S5N018GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 310 A, 1500 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 358W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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20+11.9 EUR
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IAUTN12S5N018GATMA1 IAUTN12S5N018GATMA1 INFINEON Infineon-IAUTN12S5N018G-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c86919021018712f65ab14212 Description: INFINEON - IAUTN12S5N018GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 310 A, 1500 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 358W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUTN12S5N018GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 310 A, 1500 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
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Produktpalette: OptiMOS 5 Series
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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