IAUTN12S5N018GATMA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 13.91 EUR |
| 10+ | 9.72 EUR |
| 100+ | 7.79 EUR |
| 1000+ | 7.02 EUR |
| 1800+ | 6.62 EUR |
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Technische Details IAUTN12S5N018GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUTN12S5N018GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 310 A, 0.0015 ohm, HSOG, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 310A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 358W, Bauform - Transistor: HSOG, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IAUTN12S5N018GATMA1 nach Preis ab 7.09 EUR bis 17.49 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IAUTN12S5N018GATMA1 | Infineon Technologies |
 Description: MOSFET_(120V 300V)Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1 FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 1276 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IAUTN12S5N018GATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUTN12S5N018GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 310 A, 0.0015 ohm, HSOG, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 358W Bauform - Transistor: HSOG Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1305 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IAUTN12S5N018GATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUTN12S5N018GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 310 A, 0.0015 ohm, HSOG, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 358W Bauform - Transistor: HSOG Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1305 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IAUTN12S5N018GATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(120V 300V)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET_(120V 300V)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1276 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 14.8 EUR |
| 10+ | 10.08 EUR |
| 100+ | 7.83 EUR |
| IAUTN12S5N018GATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUTN12S5N018GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 310 A, 0.0015 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IAUTN12S5N018GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 310 A, 0.0015 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 15+ | 17.49 EUR |
| 21+ | 11.33 EUR |
| 100+ | 7.79 EUR |
| 500+ | 7.24 EUR |
| 1000+ | 7.09 EUR |
| IAUTN12S5N018GATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUTN12S5N018GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 310 A, 0.0015 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IAUTN12S5N018GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 310 A, 0.0015 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 15+ | 17.49 EUR |
| 21+ | 11.33 EUR |
| 100+ | 7.79 EUR |
| 500+ | 7.24 EUR |
| 1000+ | 7.09 EUR |