IAUTN12S5N018TATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Qualification: AEC-Q101
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| Anzahl | Preis |
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| 1800+ | 5.89 EUR |
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Technische Details IAUTN12S5N018TATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUTN12S5N018TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 309 A, 0.0015 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 309A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 358W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pins, Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IAUTN12S5N018TATMA1 nach Preis ab 6.46 EUR bis 13.46 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IAUTN12S5N018TATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET_(120V 300V) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2 Grade: Automotive Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Qualification: AEC-Q101 |
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IAUTN12S5N018TATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(120V 300V) |
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IAUTN12S5N018TATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUTN12S5N018TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 309 A, 0.0015 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 309A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 358W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 16Pins Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 1721 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IAUTN12S5N018TATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUTN12S5N018TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 309 A, 0.0015 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 309A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 358W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 16Pins Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 1721 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IAUTN12S5N018TATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 309A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101 |
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