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IAUTN12S5N018TATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IAUTN12S5N018T-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8779172a01877a90a419079e
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details IAUTN12S5N018TATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUTN12S5N018TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 309 A, 1500 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 309A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, Verlustleistung: 358W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IAUTN12S5N018TATMA1 IAUTN12S5N018TATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUTN12S5N018T-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8779172a01877a90a419079e Description: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2799 Stücke:
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IAUTN12S5N018TATMA1 IAUTN12S5N018TATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUTN12S5N018T-DataSheet-v02_00-EN.pdf MOSFETs MOSFET_(120V 300V)
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1000+7.71 EUR
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IAUTN12S5N018TATMA1 IAUTN12S5N018TATMA1 INFINEON Infineon-IAUTN12S5N018T-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8779172a01877a90a419079e Description: INFINEON - IAUTN12S5N018TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 309 A, 1500 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 358W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
auf Bestellung 2330 Stücke:
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12+22.37 EUR
14+17.59 EUR
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100+10.26 EUR
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IAUTN12S5N018TATMA1 IAUTN12S5N018TATMA1 INFINEON Infineon-IAUTN12S5N018T-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8779172a01877a90a419079e Description: INFINEON - IAUTN12S5N018TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 309 A, 1500 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 358W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
auf Bestellung 2330 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2799 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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IAUTN12S5N018TATMA1 Infineon-IAUTN12S5N018T-DataSheet-v02_00-EN.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(120V 300V)
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IAUTN12S5N018TATMA1 Infineon-IAUTN12S5N018T-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8779172a01877a90a419079e
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUTN12S5N018TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 309 A, 1500 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
auf Bestellung 2330 Stücke:
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12+22.37 EUR
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17+13.28 EUR
50+11.78 EUR
100+10.26 EUR
250+10.04 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUTN12S5N018TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 309 A, 1500 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 358W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
auf Bestellung 2330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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17+13.28 EUR
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100+10.26 EUR
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