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IAUZ40N06S5L050ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IAUZ40N06S5L050-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb5178d6ff1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
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Technische Details IAUZ40N06S5L050ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUZ40N06S5L050ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 5000 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 71W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote IAUZ40N06S5L050ATMA1 nach Preis ab 0.78 EUR bis 3.26 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IAUZ40N06S5L050ATMA1 IAUZ40N06S5L050ATMA1 Infineon Technologies infineoniauz40n06s5l050datasheetv0103en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 1491 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
581+0.94 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 581 Stücke
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IAUZ40N06S5L050ATMA1 IAUZ40N06S5L050ATMA1 Infineon Technologies infineoniauz40n06s5l050datasheetv0103en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
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IAUZ40N06S5L050ATMA1 IAUZ40N06S5L050ATMA1 Infineon Technologies infineoniauz40n06s5l050datasheetv0103en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12193 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.76 EUR
11+1.75 EUR
100+1.17 EUR
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2000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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1+3.26 EUR
10+2.04 EUR
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500+1.07 EUR
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2500+0.87 EUR
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IAUZ40N06S5L050ATMA1 IAUZ40N06S5L050ATMA1 INFINEON 3668057.pdf Description: INFINEON - IAUZ40N06S5L050ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 5000 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5469 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IAUZ40N06S5L050ATMA1 IAUZ40N06S5L050ATMA1 INFINEON 3668057.pdf Description: INFINEON - IAUZ40N06S5L050ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 5000 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 1491 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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AnzahlPreis
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUZ40N06S5L050ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 5000 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUZ40N06S5L050ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 5000 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5469 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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