IAUZ40N06S5L050ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_)40V 60V) PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1861 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 8+ | 2.46 EUR |
| 11+ | 1.63 EUR |
| 100+ | 1.14 EUR |
| 500+ | 0.91 EUR |
| 1000+ | 0.83 EUR |
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Technische Details IAUZ40N06S5L050ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUZ40N06S5L050ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.004 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 71W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IAUZ40N06S5L050ATMA1 nach Preis ab 0.76 EUR bis 2.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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IAUZ40N06S5L050ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_)40V 60V) |
auf Bestellung 10069 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IAUZ40N06S5L050ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUZ40N06S5L050ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.004 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5897 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IAUZ40N06S5L050ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUZ40N06S5L050ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.004 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5897 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IAUZ40N06S5L050ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP005423482 |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IAUZ40N06S5L050ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 252A; 71W Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TSDSON-8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 12A On-state resistance: 6.4mΩ Power dissipation: 71W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 36.7nC Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±16V Pulsed drain current: 252A Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IAUZ40N06S5L050ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TSDSON-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 29µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
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| IAUZ40N06S5L050ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 252A; 71W Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TSDSON-8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 12A On-state resistance: 6.4mΩ Power dissipation: 71W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 36.7nC Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±16V Pulsed drain current: 252A Mounting: SMD |
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