IAUZ40N06S5N050ATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details IAUZ40N06S5N050ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUZ40N06S5N050ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.004 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 71W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IAUZ40N06S5N050ATMA1 nach Preis ab 0.81 EUR bis 0.81 EUR
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IAUZ40N06S5N050ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON-8-33Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 29µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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IAUZ40N06S5N050ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUZ40N06S5N050ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.004 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IAUZ40N06S5N050ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 86A T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IAUZ40N06S5N050ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON-8-33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 29µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IAUZ40N06S5N050ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 241A; 71W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Drain-source voltage: 60V Drain current: 14A Power dissipation: 71W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30.5nC Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 241A |
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