IAUZN04S7N013ATMA2 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 1.86 EUR |
| 10+ | 1.34 EUR |
| 100+ | 1.07 EUR |
| 500+ | 0.96 EUR |
| 1000+ | 0.9 EUR |
| 2500+ | 0.83 EUR |
| 5000+ | 0.82 EUR |
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Technische Details IAUZN04S7N013ATMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUZN04S7N013ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 1330 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 94W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1330µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IAUZN04S7N013ATMA2 nach Preis ab 0.93 EUR bis 2.46 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IAUZN04S7N013ATMA2 | INFINEON |
 Description: INFINEON - IAUZN04S7N013ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 1330 µohm, TSDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1330µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5840 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IAUZN04S7N013ATMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUZN04S7N013ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 1330 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1330µohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
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| IAUZN04S7N013ATMA2 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUZN04S7N013ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 1330 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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usEccn: EAR99
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Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1330µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IAUZN04S7N013ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 1330 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 102+ | 2.46 EUR |
| 140+ | 1.67 EUR |
| 176+ | 1.23 EUR |
| 500+ | 1.09 EUR |
| 1000+ | 1.02 EUR |
| 5000+ | 0.93 EUR |
| IAUZN04S7N013ATMA2 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUZN04S7N013ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 1330 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 102+ | 2.46 EUR |
| 140+ | 1.67 EUR |
| 176+ | 1.23 EUR |
| 500+ | 1.09 EUR |
| 1000+ | 1.02 EUR |
| 5000+ | 0.93 EUR |