IAUZN04S7N013ATMA2 Infineon Technologies
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| 2+ | 1.56 EUR |
| 10+ | 1.13 EUR |
| 100+ | 0.9 EUR |
| 500+ | 0.81 EUR |
| 1000+ | 0.76 EUR |
| 2500+ | 0.7 EUR |
| 5000+ | 0.69 EUR |
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Technische Details IAUZN04S7N013ATMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUZN04S7N013ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 1330 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 94W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1330µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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IAUZN04S7N013ATMA2 | Hersteller : INFINEON |
 Description: INFINEON - IAUZN04S7N013ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 1330 µohm, TSDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1330µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IAUZN04S7N013ATMA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUZN04S7N013ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 1330 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1330µohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 5840 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IAUZN04S7N013ATMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET_(20V 40V) Packaging: Tray Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 193A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.33mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-44 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3264 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
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| IAUZN04S7N013ATMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET_(20V 40V) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 193A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.33mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-44 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3264 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
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