Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUZN04S7N013ATMA2
IAUZN04S7N013ATMA2

IAUZN04S7N013ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IAUZN04S7N013-DataSheet-v01_00-EN.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
60 A, 40 V Automotive Power MOSFET with OptiMOS -7 Technology
auf Bestellung 3088 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.86 EUR
10+1.34 EUR
100+1.07 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.9 EUR
2500+0.83 EUR
5000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IAUZN04S7N013ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUZN04S7N013ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 1330 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 94W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1330µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IAUZN04S7N013ATMA2 nach Preis ab 0.93 EUR bis 3.09 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IAUZN04S7N013ATMA2 IAUZN04S7N013ATMA2 INFINEON 4520219.pdf Description: INFINEON - IAUZN04S7N013ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 1330 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1330µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+2.46 EUR
140+1.67 EUR
176+1.23 EUR
500+1.09 EUR
1000+1.02 EUR
5000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUZN04S7N013ATMA2 IAUZN04S7N013ATMA2 INFINEON 4520219.pdf Description: INFINEON - IAUZN04S7N013ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 1330 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1330µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 5840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+2.46 EUR
140+1.67 EUR
176+1.23 EUR
500+1.09 EUR
1000+1.02 EUR
5000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUZN04S7N013ATMA2 IAUZN04S7N013ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IAUZN04S7N013-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca50192a79ed65f6ad0 Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 193A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.33mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-44
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3264 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.09 EUR
11+1.96 EUR
100+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUZN04S7N013ATMA2 4520219.pdf
IAUZN04S7N013ATMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUZN04S7N013ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 1330 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1330µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
102+2.46 EUR
140+1.67 EUR
176+1.23 EUR
500+1.09 EUR
1000+1.02 EUR
5000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUZN04S7N013ATMA2 4520219.pdf
IAUZN04S7N013ATMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUZN04S7N013ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 1330 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1330µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 5840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
102+2.46 EUR
140+1.67 EUR
176+1.23 EUR
500+1.09 EUR
1000+1.02 EUR
5000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUZN04S7N013ATMA2 Infineon-IAUZN04S7N013-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca50192a79ed65f6ad0
IAUZN04S7N013ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 193A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.33mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-44
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3264 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.09 EUR
11+1.96 EUR
100+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH