
IDB30E120ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1200V; 30A; TO263-3
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: TO263-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 948 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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31+ | 2.32 EUR |
40+ | 1.8 EUR |
53+ | 1.37 EUR |
55+ | 1.3 EUR |
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Technische Details IDB30E120ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - IDB30E120ATMA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.2 kV, 50 A, Einfach, 2.15 V, 243 ns, 102 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Durchlassstoßstrom: 102A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 2.15V, Sperrverzögerungszeit: 243ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: IDB30, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IDB30E120ATMA1 nach Preis ab 1.01 EUR bis 3.38 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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IDB30E120ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 1200V; 30A; TO263-3 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: fast switching Case: TO263-3 |
auf Bestellung 948 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDB30E120ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IDB30E120ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 621 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDB30E120ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 243 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 50A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.15 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V |
auf Bestellung 569 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IDB30E120ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IDB30E120ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Durchlassstoßstrom: 102A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 2.15V Sperrverzögerungszeit: 243ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: IDB30 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 136 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDB30E120ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IDB30E120ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 243 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 50A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.15 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V |
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