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IDB30E120ATMA1

IDB30E120ATMA1 Infineon Technologies


IDB30E120_rev2_2G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b43712366746&fileId=db3a304412b407950112b43712b86747 Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE GP 1.2KV 50A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 243 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.15 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
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Technische Details IDB30E120ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IDB30E120ATMA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.2 kV, 50 A, Einfach, 2.15 V, 243 ns, 102 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Durchlassstoßstrom: 102A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 2.15V, Sperrverzögerungszeit: 243ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: IDB30, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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IDB30E120ATMA1 IDB30E120ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IDB30E120_DS_v02_03_en-1226719.pdf Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A
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IDB30E120ATMA1 IDB30E120ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies IDB30E120_rev2_2G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b43712366746&fileId=db3a304412b407950112b43712b86747 Description: DIODE GP 1.2KV 50A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 243 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.15 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
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IDB30E120ATMA1 IDB30E120ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 1144idb30e120_rev2_2g.pdffolderiddb3a304412b407950112b43712366746file.pdf Rectifier Diode Switching 1.2KV 50A 243ns 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 621 Stücke:
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51+ 2.96 EUR
52+ 2.83 EUR
100+ 2.23 EUR
250+ 2.12 EUR
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IDB30E120ATMA1 IDB30E120ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 1144idb30e120_rev2_2g.pdffolderiddb3a304412b407950112b43712366746file.pdf Rectifier Diode Switching 1.2KV 50A 243ns 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R
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51+ 2.96 EUR
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IDB30E120ATMA1 IDB30E120ATMA1 Hersteller : INFINEON IDB30E120_rev2_2G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b43712366746&fileId=db3a304412b407950112b43712b86747 Description: INFINEON - IDB30E120ATMA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.2 kV, 50 A, Einfach, 2.15 V, 243 ns, 102 A
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Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
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Qualifikation: -
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Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
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Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IDB30
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IDB30E120ATMA1 IDB30E120ATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IDB30E120ATMA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1200V; 30A; TO263-3
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: fast switching
Mounting: SMD
Case: TO263-3
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IDB30E120ATMA1 IDB30E120ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 1144idb30e120_rev2_2g.pdffolderiddb3a304412b407950112b43712366746file.pdf Rectifier Diode Switching 1.2KV 50A 243ns 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R
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IDB30E120ATMA1 IDB30E120ATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IDB30E120ATMA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1200V; 30A; TO263-3
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: fast switching
Mounting: SMD
Case: TO263-3
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
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