IDD03SG60CXTMA2 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 2+ | 2.68 EUR |
| 10+ | 2.31 EUR |
| 100+ | 1.94 EUR |
| 500+ | 1.69 EUR |
| 1000+ | 1.50 EUR |
| 2500+ | 1.45 EUR |
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Technische Details IDD03SG60CXTMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDD03SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 3.2nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: thinQ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IDD03SG60CXTMA2 nach Preis ab 1.16 EUR bis 3.63 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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IDD03SG60CXTMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: DIODE SIL CARB 600V 3A PGTO2523Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V |
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IDD03SG60CXTMA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IDD03SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 3.2nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 1707 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDD03SG60CXTMA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IDD03SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 3.2nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 1707 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDD03SG60CXTMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky 600V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDD03SG60CXTMA2 | Hersteller : Infineon |
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auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IDD03SG60CXTMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 600V 3A PGTO2523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V |
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