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IDD03SG60CXTMA2

IDD03SG60CXTMA2 Infineon Technologies

idd03sg60c_rev2.4.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Diode Schottky 600V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details IDD03SG60CXTMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IDD03SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 3.2nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: thinQ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 600V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IDD03SG60CXTMA2 IDD03SG60CXTMA2 Infineon Technologies idd03sg60c_rev2.4.pdf Diode Schottky 600V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IDD03SG60CXTMA2 IDD03SG60CXTMA2 Infineon Technologies idd03sg60c_rev2.4.pdf Diode Schottky 600V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IDD03SG60CXTMA2 IDD03SG60CXTMA2 Infineon Technologies idd03sg60c_rev2.4.pdf Diode Schottky 600V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IDD03SG60CXTMA2 IDD03SG60CXTMA2 Infineon Technologies idd03sg60c_rev2.4.pdf Diode Schottky 600V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IDD03SG60CXTMA2 IDD03SG60CXTMA2 Infineon Technologies Infineon_IDD03SG60C_DS_v02_04_en.pdf SiC Schottky Diodes SIC DIODES
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IDD03SG60CXTMA2 IDD03SG60CXTMA2 Infineon Technologies Infineon-IDD03SG60C-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a304327b897500127dcb296f11a53 Description: DIODE SIL CARB 600V 3A PGTO2523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
auf Bestellung 710 Stücke:
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10+2.69 EUR
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IDD03SG60CXTMA2 IDD03SG60CXTMA2 INFINEON 1926778.pdf Description: INFINEON - IDD03SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 3.2nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2840 Stücke:
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IDD03SG60CXTMA2 IDD03SG60CXTMA2 Infineon Technologies idd03sg60c_rev2.4.pdf Diode Schottky 600V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IDD03SG60CXTMA2 IDD03SG60CXTMA2 INFINEON 1926778.pdf Description: INFINEON - IDD03SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 3.2nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Diode Schottky 600V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Diode Schottky 600V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IDD03SG60CXTMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 600V 3A PGTO2523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IDD03SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 3.2nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
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Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Diode Schottky 600V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IDD03SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 3.2nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IDD03SG60CXTMA2 Infineon-IDD03SG60C-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a304327b897500127dcb296f11a53
Hersteller: Infineon
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