IDD10SG60CXTMA2 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 600V 10A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 2+ | 14.43 EUR |
| 10+ | 12.1 EUR |
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Technische Details IDD10SG60CXTMA2 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 600V 10A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V.
Weitere Produktangebote IDD10SG60CXTMA2 nach Preis ab 7.12 EUR bis 14.66 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IDD10SG60CXTMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES |
auf Bestellung 3027 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IDD10SG60CXTMA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IDD10SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 10 A, 16 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kapazitive Gesamtladung: 16nC rohsCompliant: YES Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 5374 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDD10SG60CXTMA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IDD10SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 10 A, 16 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Kapazitive Gesamtladung: 16nC rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 5374 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDD10SG60CXTMA2 | Hersteller : Infineon |
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auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IDD10SG60CXTMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diode Schottky 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IDD10SG60CXTMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 600V 10A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V |
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