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IDD15E60BUMA1

IDD15E60BUMA1 Infineon Technologies

Infineon-IDD15E60-DS-v02_04-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ade16efd87a9f
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE GP 600V 29.2A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 87 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 29.2A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
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Technische Details IDD15E60BUMA1 Infineon Technologies

Description: DIODE GP 600V 29.2A TO252-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 87 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 29.2A, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 15 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IDD15E60BUMA1 ROCHESTER ELECTRONICS Infineon-IDD15E60-DS-v02_04-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ade16efd87a9f Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDD15E60BUMA1 - IDD15E60 - SILICON POWER DIODE
euEccn: TBC
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Hersteller: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDD15E60BUMA1 - IDD15E60 - SILICON POWER DIODE
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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