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IDDD12G65C6XTMA1 INFINEON

Name: IDDD12G65C6XTMA1
Brand: INFINEON
SKU: 2996916-6
Price: 392.00 EUR
Availability: InStock

INFN-S-A0010751627-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IDDD12G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 34 A, 17.1 nC, HDSOP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: HDSOP
Kapazitive Gesamtladung: 17.1nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 10-polig
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 1167 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
100+	4.66 EUR
500+	4.09 EUR
1000+	4.01 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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Technische Details IDDD12G65C6XTMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IDDD12G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 34 A, 17.1 nC, HDSOP, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: HDSOP, Kapazitive Gesamtladung: 17.1nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 10-polig, Produktpalette: CoolSiC 6G 650V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Weitere Produktangebote IDDD12G65C6XTMA1 nach Preis ab 3.69 EUR bis 10.06 EUR

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IDDD12G65C6XTMA1

Infineon Technologies

Infineon-Selection_guide_CoolSiC_Silicon_Carbide_Schottky_diodes-SG-v05_00-EN.pdf?fileId=db3a3043399628450139b0701a1d21d2

Description: DIODE SIC 650V 34A PGHDSOP101
Packaging: Bulk
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 34A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 420 V

auf Bestellung 5200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

121+	4.99 EUR

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IDDD12G65C6XTMA1

Infineon Technologies

45infineon-iddd12g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462625a528f01628f.pdf

Diode Schottky SiC 650V 34A 10-Pin HDSOP EP T/R

auf Bestellung 3032 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

28+	6.33 EUR
29+	5.84 EUR
30+	5.53 EUR
50+	5.3 EUR
100+	4.8 EUR
250+	4.41 EUR
500+	3.93 EUR
1000+	3.8 EUR
3000+	3.69 EUR

Mindestbestellmenge: 28 Stücke

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IDDD12G65C6XTMA1

Infineon Technologies

Diode Schottky SiC 650V 34A 10-Pin HDSOP EP T/R

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30+	5.75 EUR
50+	5.59 EUR
100+	5.19 EUR
250+	4.91 EUR
500+	4.46 EUR
1000+	4.32 EUR
3000+	4.19 EUR

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IDDD12G65C6XTMA1

ROCHESTER ELECTRONICS

Infineon-IDDD12G65C6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462727878c201727eb440285b69

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDDD12G65C6XTMA1 - IDDD12G65 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 5710 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

116+	6.65 EUR

Mindestbestellmenge: 116 Stücke

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IDDD12G65C6XTMA1

Infineon Technologies

Infineon_IDDD12G65C6_DataSheet_v02_00_EN-3362040.pdf

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

auf Bestellung 1621 Stücke:

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1+	7.1 EUR
10+	6.24 EUR
100+	5.38 EUR
250+	4.58 EUR
500+	4.55 EUR
1000+	4.44 EUR
1700+	4.38 EUR

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IDDD12G65C6XTMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IDDD12G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 34 A, 17.1 nC, HDSOP
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Bauform - Diode: HDSOP
Kapazitive Gesamtladung: 17.1nC
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Diodenkonfiguration: Einfach
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Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A
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Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 10-polig
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

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30+	8.52 EUR
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500+	4.09 EUR
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IDDD12G65C6XTMA1

Infineon Technologies

Description: DIODE SIC 650V 34A PGHDSOP101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 420 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Current - Average Rectified (Io): 34A
Capacitance @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 1688 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	10.06 EUR

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IDDD12G65C6XTMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 650V 34A PGHDSOP101
Packaging: Bulk
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 34A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 420 V

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Diode Schottky SiC 650V 34A 10-Pin HDSOP EP T/R

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29+	5.84 EUR
30+	5.53 EUR
50+	5.3 EUR
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250+	4.41 EUR
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1000+	3.8 EUR
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Mindestbestellmenge: 28 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 34A 10-Pin HDSOP EP T/R

auf Bestellung 3032 Stücke:

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Anzahl	Privatkunde
28+	6.33 EUR
29+	5.97 EUR
30+	5.75 EUR
50+	5.59 EUR
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1000+	4.32 EUR
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IDDD12G65C6XTMA1

Hersteller: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDDD12G65C6XTMA1 - IDDD12G65 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

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Hersteller: Infineon Technologies
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

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auf Bestellung 1167 Stücke:

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Anzahl	Privatkunde
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34+	6.94 EUR
100+	4.66 EUR
500+	4.09 EUR
1000+	4.01 EUR

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IDDD12G65C6XTMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 650V 34A PGHDSOP101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 420 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Current - Average Rectified (Io): 34A
Capacitance @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)

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