Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IDDD12G65C6XTMA1
IDDD12G65C6XTMA1

IDDD12G65C6XTMA1 Infineon Technologies

Infineon-Selection_guide_CoolSiC_Silicon_Carbide_Schottky_diodes-SG-v05_00-EN.pdf?fileId=db3a3043399628450139b0701a1d21d2 Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 650V 34A PGHDSOP101
Packaging: Bulk
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 34A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 420 V
auf Bestellung 5200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
121+4.19 EUR
Mindestbestellmenge: 121
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IDDD12G65C6XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IDDD12G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 34 A, 17.1 nC, HDSOP, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: HDSOP, Kapazitive Gesamtladung: 17.1nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 10-polig, Produktpalette: CoolSiC 6G 650V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Weitere Produktangebote IDDD12G65C6XTMA1 nach Preis ab 3.14 EUR bis 8.45 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IDDD12G65C6XTMA1 IDDD12G65C6XTMA1 Hersteller : Infineon Technologies 45infineon-iddd12g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462625a528f01628f.pdf Diode Schottky SiC 650V 34A 10-Pin HDSOP EP T/R
auf Bestellung 3032 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
28+5.38 EUR
29+4.97 EUR
30+4.70 EUR
50+4.50 EUR
100+4.07 EUR
250+3.75 EUR
500+3.33 EUR
1000+3.23 EUR
3000+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDDD12G65C6XTMA1 IDDD12G65C6XTMA1 Hersteller : Infineon Technologies 45infineon-iddd12g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462625a528f01628f.pdf Diode Schottky SiC 650V 34A 10-Pin HDSOP EP T/R
auf Bestellung 3032 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
28+5.38 EUR
29+4.97 EUR
30+4.70 EUR
50+4.50 EUR
100+4.07 EUR
250+3.75 EUR
500+3.33 EUR
1000+3.23 EUR
3000+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDDD12G65C6XTMA1 IDDD12G65C6XTMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IDDD12G65C6_DataSheet_v02_00_EN-3362040.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
auf Bestellung 1621 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.97 EUR
10+5.24 EUR
100+4.52 EUR
250+3.85 EUR
500+3.82 EUR
1000+3.73 EUR
1700+3.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDDD12G65C6XTMA1 IDDD12G65C6XTMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-Selection_guide_CoolSiC_Silicon_Carbide_Schottky_diodes-SG-v05_00-EN.pdf?fileId=db3a3043399628450139b0701a1d21d2 Description: DIODE SIC 650V 34A PGHDSOP101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 34A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 420 V
auf Bestellung 1688 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+8.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDDD12G65C6XTMA1 IDDD12G65C6XTMA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0010751627-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDDD12G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 34 A, 17.1 nC, HDSOP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: HDSOP
Kapazitive Gesamtladung: 17.1nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 10-polig
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDDD12G65C6XTMA1 IDDD12G65C6XTMA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0010751627-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDDD12G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 34 A, 17.1 nC, HDSOP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: HDSOP
Kapazitive Gesamtladung: 17.1nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 10-polig
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDDD12G65C6XTMA1 IDDD12G65C6XTMA1 Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS Infineon-IDDD12G65C6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462727878c201727eb440285b69 Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDDD12G65C6XTMA1 - IDDD12G65 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDDD12G65C6XTMA1 IDDD12G65C6XTMA1 Hersteller : Infineon Technologies 45infineon-iddd12g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462625a528f01628f.pdf Diode Schottky SiC 650V 34A 10-Pin HDSOP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDDD12G65C6XTMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IDDD12G65C6.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-HDSOP-10-1; SiC; SMD; 650V; 12A
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Power dissipation: 120W
Case: PG-HDSOP-10-1
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 650V
Leakage current: 1.2µA
Semiconductor structure: single diode
Load current: 12A
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 51A
Type of diode: Schottky rectifying
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDDD12G65C6XTMA1 IDDD12G65C6XTMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-Selection_guide_CoolSiC_Silicon_Carbide_Schottky_diodes-SG-v05_00-EN.pdf?fileId=db3a3043399628450139b0701a1d21d2 Description: DIODE SIC 650V 34A PGHDSOP101
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 34A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 420 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDDD12G65C6XTMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IDDD12G65C6.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-HDSOP-10-1; SiC; SMD; 650V; 12A
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Power dissipation: 120W
Case: PG-HDSOP-10-1
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 650V
Leakage current: 1.2µA
Semiconductor structure: single diode
Load current: 12A
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 51A
Type of diode: Schottky rectifying
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH