IDDD12G65C6XTMA1 Infineon Technologies
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| 28+ | 5.68 EUR |
| 29+ | 5.25 EUR |
| 30+ | 4.97 EUR |
| 50+ | 4.76 EUR |
| 100+ | 4.3 EUR |
| 250+ | 3.96 EUR |
| 500+ | 3.52 EUR |
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Technische Details IDDD12G65C6XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDDD12G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 34 A, 17.1 nC, HDSOP, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: HDSOP, Kapazitive Gesamtladung: 17.1nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 10-polig, Produktpalette: CoolSiC 6G 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IDDD12G65C6XTMA1 nach Preis ab 3.32 EUR bis 8.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||||
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IDDD12G65C6XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Diode Schottky SiC 650V 34A 10-Pin HDSOP EP T/R |
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IDDD12G65C6XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES |
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IDDD12G65C6XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 34A HDSOP-10 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 34A Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 420 V |
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IDDD12G65C6XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IDDD12G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 34 A, 17.1 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 17.1nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 1415 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDDD12G65C6XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IDDD12G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 34 A, 17.1 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 Diodenmontage: Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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IDDD12G65C6XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 34A 10-Pin HDSOP EP T/R |
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| IDDD12G65C6XTMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IDDD12G65C6XTMA1 SMD Schottky diodes |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IDDD12G65C6XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 34A HDSOP-10 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 34A Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 420 V |
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