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IDDD20G65C6XTMA1

IDDD20G65C6XTMA1 Infineon Technologies

31infineon-iddd20g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462625a528f01628f.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R
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Technische Details IDDD20G65C6XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IDDD20G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 51 A, 26.8 nC, HDSOP, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: HDSOP, Kapazitive Gesamtladung: 26.8nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 10-polig, Produktpalette: CoolSiC 6G 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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IDDD20G65C6XTMA1 IDDD20G65C6XTMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IDDD20G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01628ff837cf104e Description: DIODE SIC 650V 51A PGHDSOP101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 970pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 67 µA @ 420 V
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IDDD20G65C6XTMA1 IDDD20G65C6XTMA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0004843282-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDDD20G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 51 A, 26.8 nC, HDSOP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: HDSOP
Kapazitive Gesamtladung: 26.8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 10-polig
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2769 Stücke:
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tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: HDSOP
Kapazitive Gesamtladung: 26.8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 10-polig
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IDDD20G65C6XTMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IDDD20G65C6.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-HDSOP-10-1; SiC; SMD; 650V; 20A
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Power dissipation: 169W
Case: PG-HDSOP-10-1
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 650V
Leakage current: 2µA
Semiconductor structure: single diode
Load current: 20A
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 79A
Type of diode: Schottky rectifying
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 970pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 67 µA @ 420 V
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IDDD20G65C6XTMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IDDD20G65C6.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-HDSOP-10-1; SiC; SMD; 650V; 20A
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Power dissipation: 169W
Case: PG-HDSOP-10-1
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 650V
Leakage current: 2µA
Semiconductor structure: single diode
Load current: 20A
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 79A
Type of diode: Schottky rectifying
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