IDDD20G65C6XTMA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 20+ | 7.41 EUR |
| 21+ | 6.89 EUR |
| 25+ | 6.56 EUR |
| 100+ | 5.94 EUR |
| 250+ | 5.63 EUR |
| 500+ | 5.14 EUR |
| 1000+ | 4.86 EUR |
| 1700+ | 4.8 EUR |
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Technische Details IDDD20G65C6XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDDD20G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 51 A, 26.8 nC, HDSOP, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: HDSOP, Kapazitive Gesamtladung: 26.8nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 10-polig, Produktpalette: CoolSiC 6G 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IDDD20G65C6XTMA1 nach Preis ab 4.8 EUR bis 12.16 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||
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IDDD20G65C6XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R |
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IDDD20G65C6XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R |
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IDDD20G65C6XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R |
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IDDD20G65C6XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES |
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IDDD20G65C6XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIC 650V 51A PGHDSOP101 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 970pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 51A Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 67 µA @ 420 V |
auf Bestellung 410 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IDDD20G65C6XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IDDD20G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 51 A, 26.8 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 26.8nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IDDD20G65C6XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IDDD20G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 51 A, 26.8 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 26.8nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 2784 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDDD20G65C6XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R |
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IDDD20G65C6XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R |
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IDDD20G65C6XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R |
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| IDDD20G65C6XTMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IDDD20G65C6XTMA1 SMD Schottky diodes |
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IDDD20G65C6XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIC 650V 51A PGHDSOP101 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 970pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 51A Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 67 µA @ 420 V |
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