
IDDD20G65C6XTMA1 Infineon Technologies
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Anzahl | Preis |
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20+ | 7.49 EUR |
21+ | 6.97 EUR |
25+ | 6.64 EUR |
100+ | 6.01 EUR |
250+ | 5.69 EUR |
500+ | 5.20 EUR |
1000+ | 4.92 EUR |
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Technische Details IDDD20G65C6XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDDD20G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 51 A, 26.8 nC, HDSOP, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: HDSOP, Kapazitive Gesamtladung: 26.8nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 10-polig, Produktpalette: CoolSiC 6G 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IDDD20G65C6XTMA1 nach Preis ab 4.86 EUR bis 12.16 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||||
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IDDD20G65C6XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IDDD20G65C6XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 970pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 51A Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 67 µA @ 420 V |
auf Bestellung 410 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IDDD20G65C6XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 26.8nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 2769 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDDD20G65C6XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 26.8nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 2784 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDDD20G65C6XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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![]() Description: Diode: Schottky rectifying; PG-HDSOP-10-1; SiC; SMD; 650V; 20A Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Power dissipation: 169W Case: PG-HDSOP-10-1 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. off-state voltage: 650V Leakage current: 2µA Semiconductor structure: single diode Load current: 20A Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 79A Type of diode: Schottky rectifying Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IDDD20G65C6XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 970pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 51A Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 67 µA @ 420 V |
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IDDD20G65C6XTMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; PG-HDSOP-10-1; SiC; SMD; 650V; 20A Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Power dissipation: 169W Case: PG-HDSOP-10-1 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. off-state voltage: 650V Leakage current: 2µA Semiconductor structure: single diode Load current: 20A Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 79A Type of diode: Schottky rectifying |
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