IDH02G65C5XKSA2 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 2A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
auf Bestellung 461 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 8+ | 2.41 EUR |
| 50+ | 1.27 EUR |
| 100+ | 1.15 EUR |
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Technische Details IDH02G65C5XKSA2 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 2A TO220-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: PG-TO220-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A.
Weitere Produktangebote IDH02G65C5XKSA2 nach Preis ab 0.74 EUR bis 2.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IDH02G65C5XKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
auf Bestellung 315 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IDH02G65C5XKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 2A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |