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IDH04G65C5XKSA2

IDH04G65C5XKSA2 Infineon Technologies

idh04g65c5_final_datasheet2_2.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details IDH04G65C5XKSA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IDH04G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 7nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: thinQ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IDH04G65C5XKSA2 IDH04G65C5XKSA2 Infineon Technologies idh04g65c5_final_datasheet2_2.pdf Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
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IDH04G65C5XKSA2 IDH04G65C5XKSA2 Infineon Technologies idh04g65c5_final_datasheet2_2.pdf Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
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IDH04G65C5XKSA2 IDH04G65C5XKSA2 Infineon Technologies Infineon_IDH04G65C5_DS_v02_02_en-1731493.pdf SiC Schottky Diodes SIC DIODES
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1+4.44 EUR
10+2.57 EUR
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500+1.36 EUR
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IDH04G65C5XKSA2 IDH04G65C5XKSA2 INFINEON 1932618.pdf Description: INFINEON - IDH04G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 368 Stücke:
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49+5.12 EUR
61+3.81 EUR
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Mindestbestellmenge: 49 Stücke
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IDH04G65C5XKSA2 IDH04G65C5XKSA2 Infineon Technologies IDH04G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ed0010fda1bd3&fileId=db3a304339dcf4b1013a033ff5d95947 Description: DIODE SIL CARB 650V 4A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V
auf Bestellung 1410 Stücke:
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4+5.76 EUR
50+2.82 EUR
100+2.53 EUR
500+2.03 EUR
1000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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SiC Schottky Diodes SIC DIODES
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IDH04G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 368 Stücke:
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IDH04G65C5XKSA2 IDH04G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ed0010fda1bd3&fileId=db3a304339dcf4b1013a033ff5d95947
IDH04G65C5XKSA2
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V
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4+5.76 EUR
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