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IDH04G65C6XKSA1

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Produktcode: 177207
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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IDH04G65C6XKSA1 IDH04G65C6XKSA1 Infineon Technologies 870infineon-idh04g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015ccf5.pdf Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 201 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+2.27 EUR
100+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
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IDH04G65C6XKSA1 IDH04G65C6XKSA1 Infineon Technologies 870infineon-idh04g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015ccf5.pdf Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 201 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.62 EUR
79+2.2 EUR
100+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IDH04G65C6XKSA1 IDH04G65C6XKSA1 Infineon Technologies 870infineon-idh04g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015ccf5.pdf Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 814 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+4.24 EUR
71+2.5 EUR
100+2.01 EUR
500+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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IDH04G65C6XKSA1 IDH04G65C6XKSA1 Infineon Technologies 870infineon-idh04g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015ccf5.pdf Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 814 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+4.25 EUR
71+2.45 EUR
100+1.94 EUR
500+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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IDH04G65C6XKSA1 IDH04G65C6XKSA1 Infineon Technologies infineon_idh04g65c6_datasheet_en.pdf SiC Schottky Diodes SIC DIODES
auf Bestellung 3292 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.18 EUR
10+2.68 EUR
100+2.34 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.86 EUR
2500+1.82 EUR
5000+1.71 EUR
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IDH04G65C6XKSA1 IDH04G65C6XKSA1 Infineon Technologies infineon-idh04g65c6-datasheet-en.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 12A PGTO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 205pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 420 V
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.59 EUR
10+3.62 EUR
50+2.77 EUR
100+2.49 EUR
500+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IDH04G65C6XKSA1 IDH04G65C6XKSA1 INFINEON 2343073.pdf Description: INFINEON - IDH04G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 12 A, 6.9 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 6.9nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 449 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.5 EUR
67+3.5 EUR
100+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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IDH04G65C6XKSA1 870infineon-idh04g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015ccf5.pdf
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Hersteller: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
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AnzahlPrivatkunde
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Description: DIODE SIL CARB 650V 12A PGTO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 205pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 420 V
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100+2.49 EUR
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Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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Description: INFINEON - IDH04G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 12 A, 6.9 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 6.9nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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