IDH04G65C6XKSA1
Produktcode: 177207
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller:
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Weitere Produktangebote IDH04G65C6XKSA1 nach Preis ab 1.21 EUR bis 7.68 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IDH04G65C6XKSA1 | Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 192 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
IDH04G65C6XKSA1 | Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 201 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
IDH04G65C6XKSA1 | Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 814 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
IDH04G65C6XKSA1 | Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 814 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
IDH04G65C6XKSA1 | Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
auf Bestellung 2114 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
|
IDH04G65C6XKSA1 | Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 201 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
IDH04G65C6XKSA1 | Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
IDH04G65C6XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A PGTO220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 205pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: PG-TO220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 420 V |
auf Bestellung 6990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
|
IDH04G65C6XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDH04G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 12 A, 6.9 nC, TO-220tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 6.9nC euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| IDH04G65C6XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 119+ | 1.45 EUR |
| IDH04G65C6XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 201 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 60+ | 2.88 EUR |
| 71+ | 2.42 EUR |
| 100+ | 1.94 EUR |
| IDH04G65C6XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 814 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 43+ | 4.07 EUR |
| 62+ | 2.76 EUR |
| 72+ | 2.33 EUR |
| 100+ | 1.89 EUR |
| 500+ | 1.3 EUR |
| IDH04G65C6XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 814 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 42+ | 4.11 EUR |
| 61+ | 2.71 EUR |
| 71+ | 2.26 EUR |
| 100+ | 1.81 EUR |
| 500+ | 1.21 EUR |
| IDH04G65C6XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
auf Bestellung 2114 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.19 EUR |
| 10+ | 2.05 EUR |
| 100+ | 1.83 EUR |
| 500+ | 1.46 EUR |
| 1000+ | 1.21 EUR |
| IDH04G65C6XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 201 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 40+ | 4.38 EUR |
| 60+ | 2.77 EUR |
| 71+ | 2.27 EUR |
| 100+ | 1.8 EUR |
| IDH04G65C6XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 38+ | 4.58 EUR |
| 58+ | 2.89 EUR |
| 68+ | 2.37 EUR |
| 100+ | 1.87 EUR |
| IDH04G65C6XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A PGTO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 205pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 420 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A PGTO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 205pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 420 V
auf Bestellung 6990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 5.46 EUR |
| 10+ | 3.53 EUR |
| 50+ | 2.7 EUR |
| 100+ | 2.43 EUR |
| 500+ | 1.95 EUR |
| IDH04G65C6XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IDH04G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 12 A, 6.9 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 6.9nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - IDH04G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 12 A, 6.9 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 6.9nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 33+ | 7.68 EUR |
| 51+ | 4.62 EUR |
| 100+ | 2.92 EUR |




