IDH08G65C6XKSA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 28+ | 6.27 EUR |
| 50+ | 3.4 EUR |
| 51+ | 3.3 EUR |
| 100+ | 2.98 EUR |
| 500+ | 2.46 EUR |
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Technische Details IDH08G65C6XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDH08G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 20 A, 12.2 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 12.2nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: CoolSiC 6G 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IDH08G65C6XKSA1 nach Preis ab 2.3 EUR bis 9.03 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IDH08G65C6XKSA1 | Infineon Technologies |
 Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 1415 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDH08G65C6XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A PGTO220 Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 420 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 8 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO220-2 Current - Average Rectified (Io): 20A Capacitance @ Vr, F: 401pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube |
auf Bestellung 355 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IDH08G65C6XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDH08G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 20 A, 12.2 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 12.2nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 262 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDH08G65C6XKSA1 | Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
auf Bestellung 768 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IDH08G65C6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; PG-TO220-2; Ir: 62uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: PG-TO220-2 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 37A Leakage current: 62µA Power dissipation: 63W Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.17...1.37mm |
auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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IDH08G65C6XKSA1 | Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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IDH08G65C6XKSA1 | Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 7 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IDH08G65C6XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 28+ | 6.32 EUR |
| 50+ | 3.2 EUR |
| 100+ | 2.84 EUR |
| 500+ | 2.3 EUR |
| IDH08G65C6XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A PGTO220
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 420 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Current - Average Rectified (Io): 20A
Capacitance @ Vr, F: 401pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A PGTO220
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 420 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Current - Average Rectified (Io): 20A
Capacitance @ Vr, F: 401pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 355 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 8.57 EUR |
| 10+ | 5.65 EUR |
| 50+ | 4.4 EUR |
| 100+ | 4 EUR |
| IDH08G65C6XKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IDH08G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 20 A, 12.2 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 12.2nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IDH08G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 20 A, 12.2 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 12.2nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 29+ | 8.77 EUR |
| 59+ | 3.96 EUR |
| 100+ | 3.32 EUR |
| IDH08G65C6XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
auf Bestellung 768 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 9.03 EUR |
| 10+ | 5.32 EUR |
| 100+ | 4.41 EUR |
| 500+ | 3.67 EUR |
| 1000+ | 3.25 EUR |
| IDH08G65C6XKSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; PG-TO220-2; Ir: 62uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 37A
Leakage current: 62µA
Power dissipation: 63W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...1.37mm
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; PG-TO220-2; Ir: 62uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 37A
Leakage current: 62µA
Power dissipation: 63W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...1.37mm
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IDH08G65C6XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IDH08G65C6XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)