IDH08G65C6XKSA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 27+ | 6.46 EUR |
| 38+ | 4.52 EUR |
| 50+ | 3.69 EUR |
| 1000+ | 3.28 EUR |
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Technische Details IDH08G65C6XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDH08G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 20 A, 12.2 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 12.2nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: CoolSiC 6G 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IDH08G65C6XKSA1 nach Preis ab 2.46 EUR bis 8.77 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IDH08G65C6XKSA1 | Infineon Technologies |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 20A PGTO220Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 420 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 8 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO220-2 Current - Average Rectified (Io): 20A Capacitance @ Vr, F: 401pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube |
auf Bestellung 519 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IDH08G65C6XKSA1 | Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
auf Bestellung 220 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IDH08G65C6XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDH08G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 20 A, 12.2 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 12.2nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 262 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDH08G65C6XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A PGTO220
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 420 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Current - Average Rectified (Io): 20A
Capacitance @ Vr, F: 401pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A PGTO220
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 420 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Current - Average Rectified (Io): 20A
Capacitance @ Vr, F: 401pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 519 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 6.58 EUR |
| 50+ | 3.33 EUR |
| 100+ | 3.01 EUR |
| 500+ | 2.46 EUR |
| IDH08G65C6XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 8.6 EUR |
| 10+ | 5.63 EUR |
| 100+ | 4.19 EUR |
| 500+ | 3.53 EUR |
| 1000+ | 3.27 EUR |
| 2500+ | 3.06 EUR |
| IDH08G65C6XKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IDH08G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 20 A, 12.2 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 12.2nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IDH08G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 20 A, 12.2 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 12.2nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 29+ | 8.77 EUR |
| 59+ | 3.96 EUR |
| 100+ | 3.32 EUR |