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IDH10G120C5XKSA1

IDH10G120C5XKSA1 Infineon Technologies

Infineon_IDH10G120C5_DataSheet_v02_02_EN-3361625.pdf Hersteller: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE
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Technische Details IDH10G120C5XKSA1 Infineon Technologies

Description: DIODE SIC 1.2KV 10A PGTO2201, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 525pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: PG-TO220-2-1, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 62 µA @ 1200 V.

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IDH10G120C5XKSA1 IDH10G120C5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IDH10G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f72be57014f748a23416bc6 Description: DIODE SIC 1.2KV 10A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 525pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 62 µA @ 1200 V
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IDH10G120C5XKSA1 IDH10G120C5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-idh10g120c5-ds-v02_01-en.pdf Rectifier Diode Schottky 1.2KV 31.9A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
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IDH10G120C5XKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IDH10G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f72be57014f748a23416bc6 IDH10G120C5XKSA1 THT Schottky diodes
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