IDH10SG60CXKSA2 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 19+ | 7.97 EUR |
| 20+ | 7.06 EUR |
| 25+ | 6.58 EUR |
| 50+ | 5.84 EUR |
| 100+ | 5.26 EUR |
| 250+ | 4.71 EUR |
| 500+ | 4.07 EUR |
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Technische Details IDH10SG60CXKSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDH10SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 10 A, 16 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 16nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: thinQ Gen III Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IDH10SG60CXKSA2 nach Preis ab 4.45 EUR bis 11.31 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IDH10SG60CXKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES |
auf Bestellung 282 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IDH10SG60CXKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
3rd Generation SiC Schottky Diode |
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IDH10SG60CXKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 600V 10A PGTO2201 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V |
auf Bestellung 323 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IDH10SG60CXKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
3rd Generation SiC Schottky Diode |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDH10SG60CXKSA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IDH10SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 10 A, 16 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 16nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ Gen III Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 259 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDH10SG60CXKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
3rd Generation thinQ SiC Schottky Diode |
auf Bestellung 960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDH10SG60CXKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
3rd Generation SiC Schottky Diode |
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IDH10SG60CXKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
3rd Generation SiC Schottky Diode |
Produkt ist nicht verfügbar |