IDH10SG60CXKSA2 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details IDH10SG60CXKSA2 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 600V 10A TO220-1, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: PG-TO220-2-1, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V.
Weitere Produktangebote IDH10SG60CXKSA2 nach Preis ab 4.56 EUR bis 12.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IDH10SG60CXKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES |
auf Bestellung 277 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IDH10SG60CXKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 600V 10A TO220-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V |
auf Bestellung 352 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IDH10SG60CXKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
3rd Generation SiC Schottky Diode |
auf Bestellung 498 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDH10SG60CXKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
3rd Generation SiC Schottky Diode |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDH10SG60CXKSA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IDH10SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 10 A, 16 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kapazitive Gesamtladung: 16nC rohsCompliant: YES Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 145 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDH10SG60CXKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
3rd Generation thinQ SiC Schottky Diode |
auf Bestellung 960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDH10SG60CXKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
3rd Generation SiC Schottky Diode |
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IDH10SG60CXKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
3rd Generation SiC Schottky Diode |
Produkt ist nicht verfügbar |