Technische Details IDH20G120C5XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDH20G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 1.2 kV, 56 A, 82 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 82nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 56A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: thinQ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IDH20G120C5XKSA1 nach Preis ab 4.99 EUR bis 12.74 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IDH20G120C5XKSA1 | Infineon Technologies |
 Diode Schottky 1.2KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 5349 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDH20G120C5XKSA1 | Infineon Technologies |
Diode Schottky 1.2KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 5349 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDH20G120C5XKSA1 | Infineon Technologies |
Diode Schottky 1.2KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDH20G120C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; PG-TO220-2; 330W Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: PG-TO220-2 Max. forward voltage: 1.5V Max. forward impulse current: 0.168kA Leakage current: 8.5µA Power dissipation: 330W Kind of package: tube |
auf Bestellung 486 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDH20G120C5XKSA1 | Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE |
auf Bestellung 998 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IDH20G120C5XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: DIODE SIC 1.2KV 56A PGTO2201 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1050pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 56A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 123 µA @ 1200 V |
auf Bestellung 483 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IDH20G120C5XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDH20G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 1.2 kV, 56 A, 82 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 82nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 56A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IDH20G120C5XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Diode Schottky 1.2KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Diode Schottky 1.2KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 5349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 21+ | 7.18 EUR |
| IDH20G120C5XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Diode Schottky 1.2KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Diode Schottky 1.2KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 5349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 21+ | 7.18 EUR |
| IDH20G120C5XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Diode Schottky 1.2KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Diode Schottky 1.2KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 20+ | 7.38 EUR |
| 50+ | 6.4 EUR |
| 100+ | 5.86 EUR |
| 500+ | 4.99 EUR |
| IDH20G120C5XKSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; PG-TO220-2; 330W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Leakage current: 8.5µA
Power dissipation: 330W
Kind of package: tube
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; PG-TO220-2; 330W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Leakage current: 8.5µA
Power dissipation: 330W
Kind of package: tube
auf Bestellung 486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 9+ | 8.07 EUR |
| IDH20G120C5XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE
SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE
auf Bestellung 998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 12.25 EUR |
| 10+ | 6.99 EUR |
| 100+ | 6.44 EUR |
| 500+ | 6.42 EUR |
| 1000+ | 5.9 EUR |
| IDH20G120C5XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 1.2KV 56A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1050pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 56A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 123 µA @ 1200 V
Description: DIODE SIC 1.2KV 56A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1050pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 56A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 123 µA @ 1200 V
auf Bestellung 483 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 12.74 EUR |
| 50+ | 6.91 EUR |
| 100+ | 6.35 EUR |
| IDH20G120C5XKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IDH20G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 1.2 kV, 56 A, 82 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 82nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 56A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IDH20G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 1.2 kV, 56 A, 82 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 82nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 56A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)