IDH20G65C6XKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 41A PGTO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 970pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 41A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 67 µA @ 420 V
auf Bestellung 103 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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| 2+ | 11.56 EUR |
| 50+ | 6.20 EUR |
| 100+ | 5.69 EUR |
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Technische Details IDH20G65C6XKSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 41A PGTO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 970pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 41A, Supplier Device Package: PG-TO220-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 67 µA @ 420 V.
Weitere Produktangebote IDH20G65C6XKSA1 nach Preis ab 5.61 EUR bis 11.74 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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IDH20G65C6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
auf Bestellung 663 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IDH20G65C6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDH20G65C6XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IDH20G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 41 A, 26.8 nC, TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 26.8 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 41 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: CoolSiC 6G 650V SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 352 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDH20G65C6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDH20G65C6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDH20G65C6XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; PG-TO220-2; 108W Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 6G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: PG-TO220-2 Max. forward impulse current: 79A Leakage current: 153µA Kind of package: tube Power dissipation: 108W Heatsink thickness: 1.17...1.37mm Max. forward voltage: 1.25V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IDH20G65C6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IDH20G65C6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IDH20G65C6XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; PG-TO220-2; 108W Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 6G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: PG-TO220-2 Max. forward impulse current: 79A Leakage current: 153µA Kind of package: tube Power dissipation: 108W Heatsink thickness: 1.17...1.37mm Max. forward voltage: 1.25V |
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