IDH20G65C6XKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IDH20G65C6XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDH20G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 41 A, 26.8 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 26.8nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 41A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: CoolSiC 6G 650V, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IDH20G65C6XKSA1 nach Preis ab 4.77 EUR bis 11.39 EUR
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IDH20G65C6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 41A PGTO220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 970pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 41A Supplier Device Package: PG-TO220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 67 µA @ 420 V |
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IDH20G65C6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
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IDH20G65C6XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IDH20G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 41 A, 26.8 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 26.8nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 41A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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IDH20G65C6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
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IDH20G65C6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
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IDH20G65C6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDH20G65C6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
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IDH20G65C6XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; PG-TO220-2; 108W Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 6G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: PG-TO220-2 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 79A Leakage current: 153µA Power dissipation: 108W Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.17...1.37mm |
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