IDK02G120C5XTMA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details IDK02G120C5XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDK02G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 1.2 kV, 11.8 A, 14 nC, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Kapazitive Gesamtladung: 14nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11.8A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: CoolSiC 5G Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IDK02G120C5XTMA1 nach Preis ab 0.55 EUR bis 4.52 EUR
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IDK02G120C5XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Diode Schottky SiC 1.2KV 11.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IDK02G120C5XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 1.2KV 11.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IDK02G120C5XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 1.2KV 11.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IDK02G120C5XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 1.2KV 11.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IDK02G120C5XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE |
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IDK02G120C5XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIC 1.2KV 11.8A PGTO26321 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 182pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 11.8A Supplier Device Package: PG-TO263-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V |
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IDK02G120C5XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IDK02G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 1.2 kV, 11.8 A, 14 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 14nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11.8A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: CoolSiC 5G Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IDK02G120C5XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IDK02G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 1.2 kV, 11.8 A, 14 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 14nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11.8A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: CoolSiC 5G Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IDK02G120C5XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 1.2KV 11.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IDK02G120C5XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 11.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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| IDK02G120C5XTMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO263-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 75W Type of diode: Schottky rectifying Case: PG-TO263-2 Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.7V Leakage current: 6µA Max. forward impulse current: 31A Kind of package: reel; tape Power dissipation: 75W Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
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IDK02G120C5XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIC 1.2KV 11.8A PGTO26321 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 182pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 11.8A Supplier Device Package: PG-TO263-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V |
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| IDK02G120C5XTMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO263-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 75W Type of diode: Schottky rectifying Case: PG-TO263-2 Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.7V Leakage current: 6µA Max. forward impulse current: 31A Kind of package: reel; tape Power dissipation: 75W |
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