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IDK03G65C5XTMA2

IDK03G65C5XTMA2 Infineon Technologies

5335271488527520dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a304342e8be2.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Diode Schottky 650V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R
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Technische Details IDK03G65C5XTMA2 Infineon Technologies

Description: DIODE SIL CARB 650V 3A PGTO2632, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: PG-TO263-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 650 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IDK03G65C5XTMA2 IDK03G65C5XTMA2 Hersteller : Infineon Technologies 5335271488527520dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a304342e8be2.pdf Diode Schottky 650V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R
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IDK03G65C5XTMA2 IDK03G65C5XTMA2 Hersteller : Infineon Technologies 5335271488527520dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a304342e8be2.pdf Diode Schottky 650V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R
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IDK03G65C5XTMA2 IDK03G65C5XTMA2 Hersteller : Infineon Technologies 5335271488527520dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a304342e8be2.pdf Diode Schottky 650V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R
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IDK03G65C5XTMA2 IDK03G65C5XTMA2 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IDK03G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0142eb7618470089 Description: DIODE SIL CARB 650V 3A PGTO2632
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 650 V
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IDK03G65C5XTMA2 IDK03G65C5XTMA2 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IDK03G65C5_DS_v02_01_EN-3163481.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
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IDK03G65C5XTMA2 Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS INFN-S-A0003614982-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDK03G65C5XTMA2 - IDK03G65C5 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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IDK03G65C5XTMA2 IDK03G65C5XTMA2 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IDK03G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0142eb7618470089 Description: DIODE SIL CARB 650V 3A PGTO2632
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 650 V
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