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IDK04G65C5XTMA2

IDK04G65C5XTMA2 INFINEON

Infineon-IDK04G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0142eb938e7500a4
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IDK04G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details IDK04G65C5XTMA2 INFINEON

Description: INFINEON - IDK04G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Kapazitive Gesamtladung: 7nC, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: N, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: thinQ Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IDK04G65C5XTMA2 IDK04G65C5XTMA2 Infineon Technologies Infineon_IDK04G65C5_DS_v02_01_EN-1731481.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
auf Bestellung 787 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+2.45 EUR
100+2.08 EUR
500+1.86 EUR
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IDK04G65C5XTMA2 IDK04G65C5XTMA2 Infineon Technologies Infineon-IDK04G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0142eb938e7500a4 Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO263-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 670 µA @ 650 V
auf Bestellung 803 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.83 EUR
10+3.18 EUR
100+2.53 EUR
500+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IDK04G65C5XTMA2 IDK04G65C5XTMA2 INFINEON Infineon-IDK04G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0142eb938e7500a4 Description: INFINEON - IDK04G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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62+3.78 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO263-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 670 µA @ 650 V
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IDK04G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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