
IDK09G65C5XTMA2 Infineon Technologies
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Anzahl | Preis |
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Technische Details IDK09G65C5XTMA2 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 9A PGTO2632, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 270pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 9A, Supplier Device Package: PG-TO263-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 9 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.6 mA @ 650 V.
Weitere Produktangebote IDK09G65C5XTMA2 nach Preis ab 3.12 EUR bis 3.71 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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IDK09G65C5XTMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IDK09G65C5XTMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IDK09G65C5XTMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
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