IDK10G120C5XTMA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 8.34 EUR |
| 10+ | 5.60 EUR |
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| 100+ | 4.00 EUR |
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Technische Details IDK10G120C5XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDK10G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC Gen V, Einfach, 1.2 kV, 31.9 A, 41 nC, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Kapazitive Gesamtladung: 41nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 31.9A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: CoolSiC Gen V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IDK10G120C5XTMA1 nach Preis ab 3.63 EUR bis 9.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||
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IDK10G120C5XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: DIODE SIC 1.2KV 31.9A TO263-1Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 525pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 31.9A Supplier Device Package: PG-TO263-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V |
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IDK10G120C5XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IDK10G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC Gen V, Einfach, 1.2 kV, 31.9 A, 41 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 41nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 31.9A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: CoolSiC Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IDK10G120C5XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IDK10G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC Gen V, Einfach, 1.2 kV, 31.9 A, 41 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 41nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 31.9A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: CoolSiC Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 813 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDK10G120C5XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IDK10G120C5XTMA1 | 1200 V Silicon Carbide Schottky diode
Package TO-263 real 2pin
Qualification Industrial
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IDK10G120C5XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IDK10G120C5XTMA1 | 1200 V Silicon Carbide Schottky diode
Package TO-263 real 2pin
Qualification Industrial
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| IDK10G120C5XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 31.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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| IDK10G120C5XTMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IDK10G120C5XTMA1 SMD Schottky diodes |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IDK10G120C5XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIC 1.2KV 31.9A TO263-1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 525pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 31.9A Supplier Device Package: PG-TO263-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V |
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