IDK10G120C5XTMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIC 1.2KV 31.9A PGTO26321
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 525pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 31.9A
Supplier Device Package: PG-TO263-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V
auf Bestellung 729 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 7.34 EUR |
| 10+ | 4.86 EUR |
| 100+ | 3.46 EUR |
| 500+ | 3.27 EUR |
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Technische Details IDK10G120C5XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDK10G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 1.2 kV, 31.9 A, 41 nC, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Kapazitive Gesamtladung: 41nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 31.9A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: CoolSiC 5G Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IDK10G120C5XTMA1 nach Preis ab 2.76 EUR bis 7.36 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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IDK10G120C5XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE |
auf Bestellung 1232 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IDK10G120C5XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IDK10G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 1.2 kV, 31.9 A, 41 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 41nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 31.9A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: CoolSiC 5G Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 573 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDK10G120C5XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IDK10G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 1.2 kV, 31.9 A, 41 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 41nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 31.9A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: CoolSiC 5G Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 573 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDK10G120C5XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IDK10G120C5XTMA1 | 1200 V Silicon Carbide Schottky diode
Package TO-263 real 2pin
Qualification Industrial
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Produkt ist nicht verfügbar |
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IDK10G120C5XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IDK10G120C5XTMA1 | 1200 V Silicon Carbide Schottky diode
Package TO-263 real 2pin
Qualification Industrial
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Produkt ist nicht verfügbar |
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| IDK10G120C5XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 31.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IDK10G120C5XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIC 1.2KV 31.9A PGTO26321 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 525pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 31.9A Supplier Device Package: PG-TO263-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V |
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| IDK10G120C5XTMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO263-2; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; 165W Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 1.2kV Case: PG-TO263-2 Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Leakage current: 22µA Max. forward voltage: 2V Load current: 10A Max. forward impulse current: 84A Power dissipation: 165W Technology: CoolSiC™ 5G; SiC |
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