IDL06G65C5XUMA2 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A VSON-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 650 V
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 5.16 EUR |
| 10+ | 4.62 EUR |
| 100+ | 3.79 EUR |
| 500+ | 3.23 EUR |
| 1000+ | 2.83 EUR |
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Technische Details IDL06G65C5XUMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDL06G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 6 A, 10 nC, VSON, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: VSON, Kapazitive Gesamtladung: 10nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 4 Pins, Produktpalette: thinQ Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IDL06G65C5XUMA2 nach Preis ab 3.12 EUR bis 5.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IDL06G65C5XUMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES |
auf Bestellung 5942 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IDL06G65C5XUMA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IDL06G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 6 A, 10 nC, VSON tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: VSON Kapazitive Gesamtladung: 10nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 4 Pins Produktpalette: thinQ Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2914 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDL06G65C5XUMA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IDL06G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 6 A, 10 nC, VSON tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: VSON Kapazitive Gesamtladung: 10nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 4 Pins Produktpalette: thinQ Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2914 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDL06G65C5XUMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky 650V 6A 4-Pin VSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IDL06G65C5XUMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A VSON-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: PG-VSON-4 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 650 V |
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