IDM02G120C5XTMA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 3.1 EUR |
| 10+ | 2.57 EUR |
| 100+ | 2.04 EUR |
| 500+ | 1.74 EUR |
| 1000+ | 1.47 EUR |
| 2500+ | 1.45 EUR |
| 10000+ | 1.36 EUR |
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Technische Details IDM02G120C5XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDM02G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 1.2 kV, 14 A, 14 nC, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 14nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 14A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: thinQ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IDM02G120C5XTMA1 nach Preis ab 1.36 EUR bis 4.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IDM02G120C5XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: DIODE SIL CARB 1200V 2A PGTO2522Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 182pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: PG-TO252-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V |
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IDM02G120C5XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IDM02G120C5XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IDM02G120C5XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2495 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDM02G120C5XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IDM02G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 1.2 kV, 14 A, 14 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 14nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 14A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1769 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDM02G120C5XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IDM02G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 1.2 kV, 14 A, 14 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 14nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 14A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1769 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDM02G120C5XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 1200V 2A PGTO2522 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 182pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: PG-TO252-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IDM02G120C5XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDM02G120C5XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IDM02G120C5XTMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 98W Max. off-state voltage: 1.2kV Max. forward voltage: 1.4V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 31A Leakage current: 1.2µA Power dissipation: 98W Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: SMD Case: PG-TO252-2 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IDM02G120C5XTMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 98W Max. off-state voltage: 1.2kV Max. forward voltage: 1.4V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 31A Leakage current: 1.2µA Power dissipation: 98W Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: SMD Case: PG-TO252-2 |
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