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IDM08G120C5XTMA1 Infineon Technologies


Infineon-IDM08G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f72be57014f97c4028b4239
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 1200V 8A PGTO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
2500+2.11 EUR
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Technische Details IDM08G120C5XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IDM08G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 27 A, 28 nC, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 28nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: thinQ 5G 1200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IDM08G120C5XTMA1 IDM08G120C5XTMA1 Infineon Technologies Infineon_IDM08G120C5_DataSheet_v02_01_EN.pdf SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE
auf Bestellung 1887 Stücke:
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1+5.74 EUR
10+3.75 EUR
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500+2.15 EUR
1000+2.11 EUR
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IDM08G120C5XTMA1 IDM08G120C5XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IDM08G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f72be57014f97c4028b4239 Description: DIODE SIL CARB 1200V 8A PGTO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
auf Bestellung 5636 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.69 EUR
10+4.37 EUR
100+3.05 EUR
500+2.48 EUR
1000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IDM08G120C5XTMA1 IDM08G120C5XTMA1 INFINEON 2354701.pdf Description: INFINEON - IDM08G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 27 A, 28 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IDM08G120C5XTMA1 IDM08G120C5XTMA1 INFINEON 2354701.pdf Description: INFINEON - IDM08G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 27 A, 28 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 1200V 8A PGTO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IDM08G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 27 A, 28 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
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Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Description: INFINEON - IDM08G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 27 A, 28 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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